Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > SI4168DY-T1-GE3
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
3093671

SI4168DY-T1-GE3

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa
2500+
$0.547
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    SI4168DY-T1-GE3
  • Valmistaja / merkki
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    MOSFET N-CH 30V 24A 8-SOIC
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    SI4168DY-T1-GE3.pdf
  • ECAD -malli
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • teknologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Toimittaja Device Package
    8-SO
  • Sarja
    TrenchFET®
  • RDS (Max) @ Id, Vgs
    5.7 mOhm @ 20A, 10V
  • Tehonkulutus (Max)
    2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
  • Pakkaus
    Tape & Reel (TR)
  • Pakkaus / Case
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Muut nimet
    SI4168DY-T1-GE3-ND
    SI4168DY-T1-GE3TR
    SI4168DYT1GE3
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Asennustyyppi
    Surface Mount
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
    1720pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    44nC @ 10V
  • FET tyyppi
    N-Channel
  • FET Ominaisuus
    -
  • Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Valua lähde jännite (Vdss)
    30V
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    N-Channel 30V 24A (Tc) 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Surface Mount 8-SO
  • Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
    24A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

26.01.2025

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

13.01.2025

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

31.12.2024

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

23.12.2024

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

12.12.2024

Microchip ilmoittaa 500 lomautusta, ja rakenneuudistuskusta...

04.12.2024

Quanta: AI -kysyntä on edelleen vahvaa, tasaisella tilausv...

03.12.2024

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

02.12.2024

Samsung vähentää merkittävästi fotoresistista käyttö...

02.12.2024

Vishay sijoittaa 51 miljoonaa puntaa hankittuun NWF -kiekkoon

29.11.2024

Trumpin tariffirasva, Nvidia, Intel -toimittajat arvioivat ...

28.11.2024

Intel saa 7,86 miljardia dollaria tukia Yhdysvaltain sirula...

27.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "SI4168DY-T1-GE3" -tuotteita.
SI4186DY-T1-GE3

SI4186DY-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 35.8A 8SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI4178DY-T1-GE3

SI4178DY-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI4176DY-T1-E3

SI4176DY-T1-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI4176DY-T1-GE3

SI4176DY-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI4172DY-T1-GE3

SI4172DY-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI4136M-EVB

SI4136M-EVB

Kuvaus: BOARD EVALUATION FOR SI4136

valmistajat: Energy Micro (Silicon Labs)
Varastossa
RFQ
SI4190DY-T1-GE3

SI4190DY-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 20A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI4166DY-T1-GE3

SI4166DY-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 30.5A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI4143DY-T1-GE3

SI4143DY-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CHANNEL 30V 25.3A 8SO

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI4136DY-T1-GE3

SI4136DY-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 46A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI4178DY-T1-E3

SI4178DY-T1-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI4154DY-T1-GE3

SI4154DY-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 36A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI4158DY-T1-GE3

SI4158DY-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 36.5A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI4164DY-T1-GE3

SI4164DY-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI4162DY-T1-GE3

SI4162DY-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI4174DY-T1-GE3

SI4174DY-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI4190ADY-T1-GE3

SI4190ADY-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SO

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI4170DY-T1-GE3

SI4170DY-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI4160DY-T1-GE3

SI4160DY-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 25.4A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI4156DY-T1-GE3

SI4156DY-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 24A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäUutisetSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.