Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrayit > SI4200DY-T1-GE3
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
2519277

SI4200DY-T1-GE3

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa
2500+
$0.25
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    SI4200DY-T1-GE3
  • Valmistaja / merkki
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    SI4200DY-T1-GE3.pdf
  • ECAD -malli
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.2V @ 250µA
  • Toimittaja Device Package
    8-SO
  • Sarja
    TrenchFET®
  • RDS (Max) @ Id, Vgs
    25 mOhm @ 7.3A, 10V
  • Virta - Max
    2.8W
  • Pakkaus
    Tape & Reel (TR)
  • Pakkaus / Case
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Muut nimet
    SI4200DY-T1-GE3-ND
    SI4200DY-T1-GE3TR
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Asennustyyppi
    Surface Mount
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
    415pF @ 13V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    12nC @ 10V
  • FET tyyppi
    2 N-Channel (Dual)
  • FET Ominaisuus
    Logic Level Gate
  • Valua lähde jännite (Vdss)
    25V
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 8A 2.8W Surface Mount 8-SO
  • Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
    8A

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

26.01.2025

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

13.01.2025

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

31.12.2024

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

23.12.2024

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

12.12.2024

Microchip ilmoittaa 500 lomautusta, ja rakenneuudistuskusta...

04.12.2024

Quanta: AI -kysyntä on edelleen vahvaa, tasaisella tilausv...

03.12.2024

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

02.12.2024

Samsung vähentää merkittävästi fotoresistista käyttö...

02.12.2024

Vishay sijoittaa 51 miljoonaa puntaa hankittuun NWF -kiekkoon

29.11.2024

Trumpin tariffirasva, Nvidia, Intel -toimittajat arvioivat ...

28.11.2024

Intel saa 7,86 miljardia dollaria tukia Yhdysvaltain sirula...

27.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "SI4200DY-T1-GE3" -tuotteita.
SI4205-BM

SI4205-BM

Kuvaus: IC RF TXRX CELLULAR 32-LFLGA

valmistajat: Energy Micro (Silicon Labs)
Varastossa
RFQ
SI4200-GM

SI4200-GM

Kuvaus: IC RF TXRX CELLULAR 32-VFQFN

valmistajat: Energy Micro (Silicon Labs)
Varastossa
RFQ
SI4210-A-IF-EVB

SI4210-A-IF-EVB

Kuvaus: BOARD INTERFACE FOR SI4210

valmistajat: Energy Micro (Silicon Labs)
Varastossa
RFQ
SI4201-BM

SI4201-BM

Kuvaus: IC RF TXRX CELLULAR 20-VFQFN

valmistajat: Energy Micro (Silicon Labs)
Varastossa
RFQ
SI4206-EVB

SI4206-EVB

Kuvaus: BOARD EVAL FOR SI4206

valmistajat: Energy Micro (Silicon Labs)
Varastossa
RFQ
SI4201-GM

SI4201-GM

Kuvaus: IC RF TXRX CELLULAR 20-VFQFN

valmistajat: Energy Micro (Silicon Labs)
Varastossa
RFQ
SI4200-BM

SI4200-BM

Kuvaus: IC RF TXRX CELLULAR 32-VFQFN

valmistajat: Energy Micro (Silicon Labs)
Varastossa
RFQ
SI4204DY-T1-GE3

SI4204DY-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 20V 19.8A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI4202DY-T1-GE3

SI4202DY-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 30V 12.1A 8SO

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI4196DY-T1-E3

SI4196DY-T1-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 8A 8SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI4186DY-T1-GE3

SI4186DY-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 35.8A 8SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI4190DY-T1-GE3

SI4190DY-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 20A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI4206-BM

SI4206-BM

Kuvaus: IC RF TXRX CELLULAR 32-LFLGA

valmistajat: Energy Micro (Silicon Labs)
Varastossa
RFQ
SI4178DY-T1-E3

SI4178DY-T1-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI4210-D-GM

SI4210-D-GM

Kuvaus: IC TXRX QUAD-BAND 32QFN

valmistajat: Energy Micro (Silicon Labs)
Varastossa
RFQ
SI4196DY-T1-GE3

SI4196DY-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 8A 8SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI4205-EVB+F19

SI4205-EVB+F19

Kuvaus: BOARD EVAL FOR SI4205

valmistajat: Energy Micro (Silicon Labs)
Varastossa
RFQ
SI4190ADY-T1-GE3

SI4190ADY-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SO

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI4200-EVB

SI4200-EVB

Kuvaus: BOARD EVAL FOR SI4200

valmistajat: Energy Micro (Silicon Labs)
Varastossa
RFQ
SI4178DY-T1-GE3

SI4178DY-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäUutisetSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.