Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > SI4406DY-T1-GE3
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
1859090

SI4406DY-T1-GE3

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    SI4406DY-T1-GE3
  • Valmistaja / merkki
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    SI4406DY-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • teknologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Toimittaja Device Package
    8-SO
  • Sarja
    TrenchFET®
  • RDS (Max) @ Id, Vgs
    4.5 mOhm @ 20A, 10V
  • Tehonkulutus (Max)
    1.6W (Ta)
  • Pakkaus
    Tape & Reel (TR)
  • Pakkaus / Case
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Asennustyyppi
    Surface Mount
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    50nC @ 4.5V
  • FET tyyppi
    N-Channel
  • FET Ominaisuus
    -
  • Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Valua lähde jännite (Vdss)
    30V
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    N-Channel 30V 13A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
    13A (Ta)

AMD käynnistää Bangaloren suunnittelukeskuksen toisen va...

26.11.2024

NVIDIA RTX 5090 -näytönohjaimen GPU -pinta -ala on 744 mm...

25.11.2024

Antropia saa vielä 4 miljardin dollarin sijoituksen Amazon...

23.11.2024

Puoli: IC -myynnin nousu 12%: lla kolmannella vuosinelj...

22.11.2024

On ilmoitettu, että Kioxia saa listalle hyväksynnän 22. ...

21.11.2024

Tower Semiconductorin uusin pii -optinen alusta on asetettu...

20.11.2024

Teollisuus toipuu hitaasti.Epitaksiaalinen toimittaja IQE h...

19.11.2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19.11.2024

The core value and future development trend of passive comp...

18.11.2024

Toimittaja: Suuri määrä RTX 50 -sarjan GPU -komponenttej...

18.11.2024

Taiwan, Kiinan puolijohdetuottoarvo kasvaa 22%: lla NT:...

17.11.2024

LG Display investoi OLED -paneelien tuotantoa lisää milja...

15.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "SI4406DY-T1-GE3" -tuotteita.
SI4401DY-T1-GE3

SI4401DY-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI4409DY-T1-GE3

SI4409DY-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 150V 1.3A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI4403BDY-T1-GE3

SI4403BDY-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 20V 7.3A 8SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI4408DY-T1-GE3

SI4408DY-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 14A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI4403BDY-T1-E3

SI4403BDY-T1-E3

Kuvaus: MOSFET P-CH 20V 7.3A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI4404DY-T1-E3

SI4404DY-T1-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI4401FDY-T1-GE3

SI4401FDY-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CHAN 40V SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI4401DY-T1-E3

SI4401DY-T1-E3

Kuvaus: MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI4410BDY-T1-GE3

SI4410BDY-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI4403CDY-T1-GE3

SI4403CDY-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 20V 13.4A 8SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI4403DDY-T1-GE3

SI4403DDY-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 20V 15.4A 8SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI4404DY-T1-GE3

SI4404DY-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI4410DYPBF

SI4410DYPBF

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
SI4408DY-T1-E3

SI4408DY-T1-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 14A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI4410BDY-T1-E3

SI4410BDY-T1-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI4410DY,518

SI4410DY,518

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V SOT96-1

valmistajat: NXP Semiconductors / Freescale
Varastossa
RFQ
SI4410DY

SI4410DY

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
SI4406DY-T1-E3

SI4406DY-T1-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI4410DY

SI4410DY

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
SI4409DY-T1-E3

SI4409DY-T1-E3

Kuvaus: MOSFET P-CH 150V 1.3A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.