Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > SI4431BDY-T1-E3
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
2460998

SI4431BDY-T1-E3

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa
1+
$1.13
10+
$0.99
100+
$0.764
500+
$0.566
1000+
$0.453
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    SI4431BDY-T1-E3
  • Valmistaja / merkki
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    MOSFET P-CH 30V 5.7A 8-SOIC
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    SI4431BDY-T1-E3.pdf
  • ECAD -malli
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • teknologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Toimittaja Device Package
    8-SO
  • Sarja
    TrenchFET®
  • RDS (Max) @ Id, Vgs
    30 mOhm @ 7.5A, 10V
  • Tehonkulutus (Max)
    1.5W (Ta)
  • Pakkaus
    Original-Reel®
  • Pakkaus / Case
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Muut nimet
    SI4431BDY-T1-E3DKR
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Asennustyyppi
    Surface Mount
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Valmistajan toimitusaika
    33 Weeks
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    20nC @ 5V
  • FET tyyppi
    P-Channel
  • FET Ominaisuus
    -
  • Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Valua lähde jännite (Vdss)
    30V
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    P-Channel 30V 5.7A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
    5.7A (Ta)

Analog & Power Management ICs: The Key to Future Intell...

11.02.2025

USC Develops Chip-Based Pulse-Mode EPR Sensor for Electroni...

10.02.2025

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

26.01.2025

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

13.01.2025

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

31.12.2024

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

23.12.2024

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

12.12.2024

Microchip ilmoittaa 500 lomautusta, ja rakenneuudistuskusta...

04.12.2024

Quanta: AI -kysyntä on edelleen vahvaa, tasaisella tilausv...

03.12.2024

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

02.12.2024

Samsung vähentää merkittävästi fotoresistista käyttö...

02.12.2024

Vishay sijoittaa 51 miljoonaa puntaa hankittuun NWF -kiekkoon

29.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "SI4431BDY-T1-E3" -tuotteita.
SI4432-B1-FMR

SI4432-B1-FMR

Kuvaus: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

valmistajat: Energy Micro (Silicon Labs)
Varastossa
RFQ
SI4434DY-T1-GE3

SI4434DY-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI4430BDY-T1-GE3

SI4430BDY-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI4432-B1-FM

SI4432-B1-FM

Kuvaus: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

valmistajat: Energy Micro (Silicon Labs)
Varastossa
RFQ
SI4434DY-T1-E3

SI4434DY-T1-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI4431-B1-FM

SI4431-B1-FM

Kuvaus: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

valmistajat: Energy Micro (Silicon Labs)
Varastossa
RFQ
SI4430-B1-FM

SI4430-B1-FM

Kuvaus: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

valmistajat: Energy Micro (Silicon Labs)
Varastossa
RFQ
SI4434ADY-T1-GE3

SI4434ADY-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CHAN 250V SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI4430BDY-T1-E3

SI4430BDY-T1-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI4431-B1-FMR

SI4431-B1-FMR

Kuvaus: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

valmistajat: Energy Micro (Silicon Labs)
Varastossa
RFQ
SI4431CDY-T1-E3

SI4431CDY-T1-E3

Kuvaus: MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI4430-B1-FMR

SI4430-B1-FMR

Kuvaus: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

valmistajat: Energy Micro (Silicon Labs)
Varastossa
RFQ
SI4427BDY-T1-GE3

SI4427BDY-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI4431BDY-T1-GE3

SI4431BDY-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI4435BDY-T1-E3

SI4435BDY-T1-E3

Kuvaus: MOSFET P-CH 30V 7A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI4427BDY-T1-E3

SI4427BDY-T1-E3

Kuvaus: MOSFET P-CH 30V 9.7A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI4432-V2-FM

SI4432-V2-FM

Kuvaus: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

valmistajat: Energy Micro (Silicon Labs)
Varastossa
RFQ
SI4430-A0-FM

SI4430-A0-FM

Kuvaus: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

valmistajat: Energy Micro (Silicon Labs)
Varastossa
RFQ
SI4431CDY-T1-GE3

SI4431CDY-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI4431-A0-FM

SI4431-A0-FM

Kuvaus: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

valmistajat: Energy Micro (Silicon Labs)
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäUutisetSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.