SI4446DY-T1-GE3

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Kysely verkossa

tekniset tiedot

Osa numero

SI4446DY-T1-GE3
Valmistaja / merkki

Electro-Films (EFI) / Vishay
Varaston määrä

Varastossa
Kuvaus

MOSFET N-CH 40V 3.9A 8-SOIC
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
lomakkeissa

SI4446DY-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

1.6V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
teknologia

MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package

8-SO
Sarja

TrenchFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs

40 mOhm @ 5.2A, 10V
Tehonkulutus (Max)

1.1W (Ta)
Pakkaus

Original-Reel®
Pakkaus / Case

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Muut nimet

SI4446DY-T1-GE3DKR
Käyttölämpötila

-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi

Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL)

1 (Unlimited)
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lead free / RoHS Compliant
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

700pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 4.5V
FET tyyppi

N-Channel
FET Ominaisuus

-
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Valua lähde jännite (Vdss)

40V
Yksityiskohtainen kuvaus

N-Channel 40V 3.9A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 8-SO
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C

3.9A (Ta)

Seuraava on "SI4446DY-T1-GE3" -tuotteita.

SI4447ADY-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 40V 7.2A 8SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

RFQ

SI4438-B1C-FM

Kuvaus: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

valmistajat: Energy Micro (Silicon Labs)

Varastossa

RFQ

SI4447DY-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

RFQ

SI4438DY-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 36A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

RFQ

SI4448DY-T1-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 12V 50A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

RFQ

SI4442DY-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

RFQ

SI4453DY-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

RFQ

SI4438DY-T1-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 36A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

RFQ

SI4436DY-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

RFQ

SI4438-B1C-FMR

Kuvaus: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

valmistajat: Energy Micro (Silicon Labs)

Varastossa

RFQ

SI4455-B1A-FM

Kuvaus: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

valmistajat: Energy Micro (Silicon Labs)

Varastossa

RFQ

SI4453DY-T1-E3

Kuvaus: MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

RFQ

SI4442DY-T1-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

RFQ

SI4446DY-T1-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 3.9A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

RFQ

SI4448DY-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 12V 50A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

RFQ

SI4438-C2A-GM

Kuvaus: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

valmistajat: Energy Micro (Silicon Labs)

Varastossa

RFQ

SI4451DY-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

RFQ

SI4438-C2A-GMR

Kuvaus: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

valmistajat: Energy Micro (Silicon Labs)

Varastossa

RFQ

SI4447DY-T1-E3

Kuvaus: MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

RFQ

SI4451DY-T1-E3

Kuvaus: MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

RFQ

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Ennakkorekisteröinti

SI4446DY-T1-GE3

Pyydä tarjous

Antropia saa vielä 4 miljardin dollarin sijoituksen Amazon...

Puoli: IC -myynnin nousu 12%: lla kolmannella vuosinelj...

On ilmoitettu, että Kioxia saa listalle hyväksynnän 22. ...

Tower Semiconductorin uusin pii -optinen alusta on asetettu...

Teollisuus toipuu hitaasti.Epitaksiaalinen toimittaja IQE h...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Toimittaja: Suuri määrä RTX 50 -sarjan GPU -komponenttej...

Taiwan, Kiinan puolijohdetuottoarvo kasvaa 22%: lla NT:...

LG Display investoi OLED -paneelien tuotantoa lisää milja...

Amazon lisää pyrkimyksiä luoda räätälöityjä AI -sir...

Pegatronin Q3 -nettotulos oli NT 4,296 miljardia dollaria, ...

SI4447ADY-T1-GE3

SI4438-B1C-FM

SI4447DY-T1-GE3

SI4438DY-T1-GE3

SI4448DY-T1-E3

SI4442DY-T1-GE3

SI4453DY-T1-GE3

SI4438DY-T1-E3

SI4436DY-T1-GE3

SI4438-B1C-FMR

SI4455-B1A-FM

SI4453DY-T1-E3

SI4442DY-T1-E3

SI4446DY-T1-E3

SI4448DY-T1-GE3

SI4438-C2A-GM

SI4451DY-T1-GE3

SI4438-C2A-GMR

SI4447DY-T1-E3

SI4451DY-T1-E3

Valitse kieli

Nykyinen kieli