Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrayit > SI4808DY-T1-GE3
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
6924781

SI4808DY-T1-GE3

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa
2500+
$0.947
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    SI4808DY-T1-GE3
  • Valmistaja / merkki
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    SI4808DY-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    800mV @ 250µA (Min)
  • Toimittaja Device Package
    8-SO
  • Sarja
    LITTLE FOOT®
  • RDS (Max) @ Id, Vgs
    22 mOhm @ 7.5A, 10V
  • Virta - Max
    1.1W
  • Pakkaus
    Tape & Reel (TR)
  • Pakkaus / Case
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Asennustyyppi
    Surface Mount
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Valmistajan toimitusaika
    6 Weeks
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
    -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    20nC @ 10V
  • FET tyyppi
    2 N-Channel (Dual)
  • FET Ominaisuus
    Logic Level Gate
  • Valua lähde jännite (Vdss)
    30V
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.7A 1.1W Surface Mount 8-SO
  • Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
    5.7A

On ilmoitettu, että Kioxia saa listalle hyväksynnän 22. ...

21.11.2024

Tower Semiconductorin uusin pii -optinen alusta on asetettu...

20.11.2024

Teollisuus toipuu hitaasti.Epitaksiaalinen toimittaja IQE h...

19.11.2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19.11.2024

The core value and future development trend of passive comp...

18.11.2024

Toimittaja: Suuri määrä RTX 50 -sarjan GPU -komponenttej...

18.11.2024

Taiwan, Kiinan puolijohdetuottoarvo kasvaa 22%: lla NT:...

17.11.2024

LG Display investoi OLED -paneelien tuotantoa lisää milja...

15.11.2024

Amazon lisää pyrkimyksiä luoda räätälöityjä AI -sir...

14.11.2024

Pegatronin Q3 -nettotulos oli NT 4,296 miljardia dollaria, ...

13.11.2024

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

13.11.2024

Etelä -Korea aikoo antaa sirulain torjumaan Trumpin uhkaa

13.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "SI4808DY-T1-GE3" -tuotteita.
SI4818DY-T1-E3

SI4818DY-T1-E3

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI4816DY-T1-E3

SI4816DY-T1-E3

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI4808DY-T1-E3

SI4808DY-T1-E3

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI4818DY-T1-GE3

SI4818DY-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI4800BDY-T1-E3

SI4800BDY-T1-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI4816DY-T1-GE3

SI4816DY-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI4804BDY-T1-GE3

SI4804BDY-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI4800,518

SI4800,518

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 9A SOT96-1

valmistajat: NXP Semiconductors / Freescale
Varastossa
RFQ
SI4816BDY-T1-E3

SI4816BDY-T1-E3

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI4804CDY-T1-E3

SI4804CDY-T1-E3

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI4791-3T1A-EVB

SI4791-3T1A-EVB

Kuvaus: EVAL BOARD SI4791

valmistajat: Energy Micro (Silicon Labs)
Varastossa
RFQ
SI4814BDY-T1-GE3

SI4814BDY-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI4812BDY-T1-GE3

SI4812BDY-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI4812BDY-T1-E3

SI4812BDY-T1-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI4778DY-T1-GE3

SI4778DY-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 25V 8A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI4804BDY-T1-E3

SI4804BDY-T1-E3

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI4814BDY-T1-E3

SI4814BDY-T1-E3

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI4804CDY-T1-GE3

SI4804CDY-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI4816BDY-T1-GE3

SI4816BDY-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI4800BDY-T1-GE3

SI4800BDY-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.