Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

*Yrityksen nimi
*Nimi
*Otsikko

*Sähköpostiosoite
*Puhelinnumero

*Maa
*Kontaktiikkuna
*Tapahtumapäivä

*Viesti

Vierailijoille Electronica 2024

Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.

Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > SI4866DY-T1-E3

RFQs/tilaus (0)

Suomi

Suomi

4203124

SI4866DY-T1-E3

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa

2500+

$1.102

Kysely verkossa

tekniset tiedot

Osa numero

SI4866DY-T1-E3
Valmistaja / merkki

Electro-Films (EFI) / Vishay
Varaston määrä

Varastossa
Kuvaus

MOSFET N-CH 12V 11A 8-SOIC
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
lomakkeissa

SI4866DY-T1-E3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

600mV @ 250µA (Min)
Vgs (Max)

±8V
teknologia

MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package

8-SO
Sarja

TrenchFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs

5.5 mOhm @ 17A, 4.5V
Tehonkulutus (Max)

1.6W (Ta)
Pakkaus

Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Muut nimet

SI4866DY-T1-E3-ND
SI4866DY-T1-E3TR
SI4866DYT1E3
Käyttölämpötila

-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi

Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL)

1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika

33 Weeks
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 4.5V
FET tyyppi

N-Channel
FET Ominaisuus

-
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
Valua lähde jännite (Vdss)

12V
Yksityiskohtainen kuvaus

N-Channel 12V 11A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 8-SO
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C

11A (Ta)

Liittyvät uutiset
laivaus
maksu

Antropia saa vielä 4 miljardin dollarin sijoituksen Amazon...

Puoli: IC -myynnin nousu 12%: lla kolmannella vuosinelj...

On ilmoitettu, että Kioxia saa listalle hyväksynnän 22. ...

Tower Semiconductorin uusin pii -optinen alusta on asetettu...

Teollisuus toipuu hitaasti.Epitaksiaalinen toimittaja IQE h...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Toimittaja: Suuri määrä RTX 50 -sarjan GPU -komponenttej...

Taiwan, Kiinan puolijohdetuottoarvo kasvaa 22%: lla NT:...

LG Display investoi OLED -paneelien tuotantoa lisää milja...

Amazon lisää pyrkimyksiä luoda räätälöityjä AI -sir...

Pegatronin Q3 -nettotulos oli NT 4,296 miljardia dollaria, ...

laivaus

Maksu

Seuraava on "SI4866DY-T1-E3" -tuotteita.

SI4876DY-T1-E3

SI4876DY-T1-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 14A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI4858DY-T1-GE3

SI4858DY-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI4866DY-T1-GE3

SI4866DY-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 12V 11A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI4864DY-T1-E3

SI4864DY-T1-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 17A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI4858DY-T1-E3

SI4858DY-T1-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI4862DY-T1-GE3

SI4862DY-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 16V 17A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI4886DY-T1-E3

SI4886DY-T1-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI4862DY-T1-E3

SI4862DY-T1-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 16V 17A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI4866BDY-T1-E3

SI4866BDY-T1-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 12V 21.5A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI4860DY-T1-GE3

SI4860DY-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI4884BDY-T1-E3

SI4884BDY-T1-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 16.5A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI4876DY-T1-GE3

SI4876DY-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 14A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI4860DY-T1-E3

SI4860DY-T1-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI4880DY-T1-GE3

SI4880DY-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI4884BDY-T1-GE3

SI4884BDY-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 16.5A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI4866BDY-T1-GE3

SI4866BDY-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 12V 21.5A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI4874BDY-T1-E3

SI4874BDY-T1-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI4874BDY-T1-GE3

SI4874BDY-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI4864DY-T1-GE3

SI4864DY-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 17A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI4880DY-T1-E3

SI4880DY-T1-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.

Seuraa meitä

käyttöehdot Rikkomuspolitiikka Pyydä tarjous Meistä Ota meihin yhteyttä Sivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.