Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

*Yrityksen nimi
*Nimi
*Otsikko

*Sähköpostiosoite
*Puhelinnumero

*Maa
*Kontaktiikkuna
*Tapahtumapäivä

*Viesti

Vierailijoille Electronica 2024

Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.

Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > SI5432DC-T1-GE3

RFQs/tilaus (0)

Suomi

Suomi

3039677

SI5432DC-T1-GE3-kuva

Electro-Films (EFI) / Vishay

SI5432DC-T1-GE3

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa

3000+

$0.789

Kysely verkossa

tekniset tiedot

Osa numero

SI5432DC-T1-GE3
Valmistaja / merkki

Electro-Films (EFI) / Vishay
Varaston määrä

Varastossa
Kuvaus

MOSFET N-CH 20V 6A 1206-8
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
lomakkeissa

SI5432DC-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
teknologia

MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package

1206-8 ChipFET™
Sarja

TrenchFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs

20 mOhm @ 8.3A, 4.5V
Tehonkulutus (Max)

2.5W (Ta), 6.3W (Tc)
Pakkaus

Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case

8-SMD, Flat Lead
Muut nimet

SI5432DC-T1-GE3TR
SI5432DCT1GE3
Käyttölämpötila

-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi

Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL)

1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika

27 Weeks
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lead free / RoHS Compliant
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

1200pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

33nC @ 10V
FET tyyppi

N-Channel
FET Ominaisuus

-
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
Valua lähde jännite (Vdss)

20V
Yksityiskohtainen kuvaus

N-Channel 20V 6A (Tc) 2.5W (Ta), 6.3W (Tc) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C

6A (Tc)

Liittyvät uutiset
laivaus
maksu

Antropia saa vielä 4 miljardin dollarin sijoituksen Amazon...

Puoli: IC -myynnin nousu 12%: lla kolmannella vuosinelj...

On ilmoitettu, että Kioxia saa listalle hyväksynnän 22. ...

Tower Semiconductorin uusin pii -optinen alusta on asetettu...

Teollisuus toipuu hitaasti.Epitaksiaalinen toimittaja IQE h...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Toimittaja: Suuri määrä RTX 50 -sarjan GPU -komponenttej...

Taiwan, Kiinan puolijohdetuottoarvo kasvaa 22%: lla NT:...

LG Display investoi OLED -paneelien tuotantoa lisää milja...

Amazon lisää pyrkimyksiä luoda räätälöityjä AI -sir...

Pegatronin Q3 -nettotulos oli NT 4,296 miljardia dollaria, ...

laivaus

Maksu

Seuraava on "SI5432DC-T1-GE3" -tuotteita.

SI5441BDC-T1-GE3

SI5441BDC-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 20V 4.4A 1206-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI5424DC-T1-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI5441DC-T1-GE3

SI5441DC-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 20V 3.9A 1206-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI5415AEDU-T1-GE3

SI5415AEDU-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 20V 25A CHIPFET

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI5435BDC-T1-E3

SI5435BDC-T1-E3

Kuvaus: MOSFET P-CH 30V 4.3A 1206-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI5440DC-T1-GE3

SI5440DC-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI5411EDU-T1-GE3

SI5411EDU-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 12V 25A PPAK CHIPFET

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI5429DU-T1-GE3

SI5429DU-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 30V 12A PWR PK

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI5441DC-T1-E3

Kuvaus: MOSFET P-CH 20V 3.9A 1206-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI5414DC-T1-GE3

SI5414DC-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 6A 1206-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI5441BDC-T1-E3

SI5441BDC-T1-E3

Kuvaus: MOSFET P-CH 20V 4.4A 1206-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI5418DU-T1-GE3

SI5418DU-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI5433BDC-T1-GE3

SI5433BDC-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 20V 4.8A 1206-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI5424DC-T1-GE3

SI5424DC-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI5410DU-T1-GE3

SI5410DU-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK CHIPFET

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI5415EDU-T1-GE3

SI5415EDU-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 20V 25A PPAK CHIPFET

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI5442DU-T1-GE3

SI5442DU-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 25A PPAK CHIPFET

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI5419DU-T1-GE3

SI5419DU-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 30V 12A PPAK CHIPFET

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI5435BDC-T1-GE3

SI5435BDC-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 30V 4.3A 1206-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI5433BDC-T1-E3

SI5433BDC-T1-E3

Kuvaus: MOSFET P-CH 20V 4.8A 1206-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.

Seuraa meitä

käyttöehdot Rikkomuspolitiikka Pyydä tarjous Meistä Ota meihin yhteyttä Sivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.