Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

*Yrityksen nimi
*Nimi
*Otsikko

*Sähköpostiosoite
*Puhelinnumero

*Maa
*Kontaktiikkuna
*Tapahtumapäivä

*Viesti

Vierailijoille Electronica 2024

Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.

Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > SI7107DN-T1-GE3

RFQs/tilaus (0)

Suomi

Suomi

6590375

SI7107DN-T1-GE3-kuva

Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7107DN-T1-GE3

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Kysely verkossa

tekniset tiedot

Osa numero

SI7107DN-T1-GE3
Valmistaja / merkki

Electro-Films (EFI) / Vishay
Varaston määrä

Varastossa
Kuvaus

MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
lomakkeissa

SI7107DN-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 450µA
Vgs (Max)

±8V
teknologia

MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package

PowerPAK® 1212-8
Sarja

TrenchFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs

10.8 mOhm @ 15.3A, 4.5V
Tehonkulutus (Max)

1.5W (Ta)
Pakkaus

Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case

PowerPAK® 1212-8
Muut nimet

SI7107DN-T1-GE3TR
SI7107DNT1GE3
Käyttölämpötila

-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi

Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL)

1 (Unlimited)
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

44nC @ 4.5V
FET tyyppi

P-Channel
FET Ominaisuus

-
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V
Valua lähde jännite (Vdss)

20V
Yksityiskohtainen kuvaus

P-Channel 20V 9.8A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C

9.8A (Ta)

Liittyvät uutiset
laivaus
maksu

On ilmoitettu, että Kioxia saa listalle hyväksynnän 22. ...

Tower Semiconductorin uusin pii -optinen alusta on asetettu...

Teollisuus toipuu hitaasti.Epitaksiaalinen toimittaja IQE h...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Toimittaja: Suuri määrä RTX 50 -sarjan GPU -komponenttej...

Taiwan, Kiinan puolijohdetuottoarvo kasvaa 22%: lla NT:...

LG Display investoi OLED -paneelien tuotantoa lisää milja...

Amazon lisää pyrkimyksiä luoda räätälöityjä AI -sir...

Pegatronin Q3 -nettotulos oli NT 4,296 miljardia dollaria, ...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Etelä -Korea aikoo antaa sirulain torjumaan Trumpin uhkaa

laivaus

Maksu

Seuraava on "SI7107DN-T1-GE3" -tuotteita.

SI7102DN-T1-GE3

SI7102DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 12V 35A 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7104DN-T1-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7106DN-T1-GE3

SI7106DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 12.5A 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7113DN-T1-E3

Kuvaus: MOSFET P-CH 100V 13.2A 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7112DN-T1-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 11.3A 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7113DN-T1-GE3

SI7113DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 100V 13.2A 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7112DN-T1-GE3

SI7112DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 11.3A 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7111EDN-T1-GE3

SI7111EDN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 30V 60A POWERPAK1212

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7106DN-T1-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 12.5A 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7108DN-T1-GE3

SI7108DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 14A 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7113ADN-T1-GE3

SI7113ADN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 100V 10.8A 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7107DN-T1-E3

Kuvaus: MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7104DN-T1-GE3

SI7104DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7100DN-T1-GE3

SI7100DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 8V 35A PPAK 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7101DN-T1-GE3

SI7101DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7110DN-T1-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 13.5A 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7100DN-T1-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 8V 35A 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7108DN-T1-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 14A 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7110DN-T1-GE3

SI7110DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 13.5A 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7102DN-T1-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.

Seuraa meitä

käyttöehdot Rikkomuspolitiikka Pyydä tarjous Meistä Ota meihin yhteyttä Sivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.