Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

*Yrityksen nimi
*Nimi
*Otsikko

*Sähköpostiosoite
*Puhelinnumero

*Maa
*Kontaktiikkuna
*Tapahtumapäivä

*Viesti

Vierailijoille Electronica 2024

Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.

Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > SI7121DN-T1-GE3

RFQs/tilaus (0)

Suomi

Suomi

3191908

SI7121DN-T1-GE3-kuva

Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7121DN-T1-GE3

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa

3000+

$0.612

Kysely verkossa

tekniset tiedot

Osa numero

SI7121DN-T1-GE3
Valmistaja / merkki

Electro-Films (EFI) / Vishay
Varaston määrä

Varastossa
Kuvaus

MOSFET P-CH 30V 16A 1212-8
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
lomakkeissa

SI7121DN-T1-GE3.pdf
ECAD -malli
Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
teknologia

MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package

PowerPAK® 1212-8
Sarja

TrenchFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs

18 mOhm @ 10A, 10V
Tehonkulutus (Max)

3.7W (Ta), 52W (Tc)
Pakkaus

Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case

PowerPAK® 1212-8
Muut nimet

SI7121DN-T1-GE3TR
SI7121DNT1GE3
Käyttölämpötila

-50°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi

Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL)

1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika

27 Weeks
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lead free / RoHS Compliant
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

1960pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

65nC @ 10V
FET tyyppi

P-Channel
FET Ominaisuus

-
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Valua lähde jännite (Vdss)

30V
Yksityiskohtainen kuvaus

P-Channel 30V 16A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C

16A (Tc)

Liittyvät uutiset
laivaus
maksu

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

Microchip ilmoittaa 500 lomautusta, ja rakenneuudistuskusta...

Quanta: AI -kysyntä on edelleen vahvaa, tasaisella tilausv...

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

Samsung vähentää merkittävästi fotoresistista käyttö...

Vishay sijoittaa 51 miljoonaa puntaa hankittuun NWF -kiekkoon

Trumpin tariffirasva, Nvidia, Intel -toimittajat arvioivat ...

Intel saa 7,86 miljardia dollaria tukia Yhdysvaltain sirula...

laivaus

Maksu

Seuraava on "SI7121DN-T1-GE3" -tuotteita.

SI7123DN-T1-GE3

SI7123DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 20V 10.2A 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7119DN-T1-GE3

SI7119DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 200V 3.8A 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7120DN-T1-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 6.3A 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7135DP-T1-GE3

SI7135DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7116DN-T1-GE3

SI7116DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 10.5A 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7138DP-T1-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7129DN-T1-GE3

SI7129DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 30V 35A 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7117DN-T1-GE3

SI7117DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 150V 2.17A 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7117DN-T1-E3

Kuvaus: MOSFET P-CH 150V 2.17A 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7139DP-T1-GE3

SI7139DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 30V 40A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7136DP-T1-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7136DP-T1-GE3

SI7136DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7138DP-T1-GE3

SI7138DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7120DN-T1-GE3

SI7120DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 6.3A 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7119DN-T1-E3

Kuvaus: MOSFET P-CH 200V 3.8A 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7141DP-T1-GE3

SI7141DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7116DN-T1-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 10.5A 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7137DP-T1-GE3

SI7137DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7121ADN-T1-GE3

SI7121ADN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 30V D-S PPAK 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7120ADN-T1-GE3

SI7120ADN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 6A 1212-8 PPAK

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.

Seuraa meitä

käyttöehdot Rikkomuspolitiikka Pyydä tarjous Meistä Ota meihin yhteyttä Uutiset Sivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.