Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > SI7386DP-T1-GE3
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
463036SI7386DP-T1-GE3-kuvaElectro-Films (EFI) / Vishay

SI7386DP-T1-GE3

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa
1+
$1.60
10+
$1.42
100+
$1.122
500+
$0.87
1000+
$0.687
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    SI7386DP-T1-GE3
  • Valmistaja / merkki
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    SI7386DP-T1-GE3.pdf
  • ECAD -malli
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • teknologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Toimittaja Device Package
    PowerPAK® SO-8
  • Sarja
    TrenchFET®
  • RDS (Max) @ Id, Vgs
    7 mOhm @ 19A, 10V
  • Tehonkulutus (Max)
    1.8W (Ta)
  • Pakkaus
    Cut Tape (CT)
  • Pakkaus / Case
    PowerPAK® SO-8
  • Muut nimet
    SI7386DP-T1-GE3CT
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Asennustyyppi
    Surface Mount
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    18nC @ 4.5V
  • FET tyyppi
    N-Channel
  • FET Ominaisuus
    -
  • Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Valua lähde jännite (Vdss)
    30V
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    N-Channel 30V 12A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
    12A (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

26.01.2025

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

13.01.2025

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

31.12.2024

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

23.12.2024

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

12.12.2024

Microchip ilmoittaa 500 lomautusta, ja rakenneuudistuskusta...

04.12.2024

Quanta: AI -kysyntä on edelleen vahvaa, tasaisella tilausv...

03.12.2024

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

02.12.2024

Samsung vähentää merkittävästi fotoresistista käyttö...

02.12.2024

Vishay sijoittaa 51 miljoonaa puntaa hankittuun NWF -kiekkoon

29.11.2024

Trumpin tariffirasva, Nvidia, Intel -toimittajat arvioivat ...

28.11.2024

Intel saa 7,86 miljardia dollaria tukia Yhdysvaltain sirula...

27.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "SI7386DP-T1-GE3" -tuotteita.
SI7382DP-T1-E3

SI7382DP-T1-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 14A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI7384DP-T1-E3

SI7384DP-T1-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI7390DP-T1-E3

SI7390DP-T1-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI7392ADP-T1-GE3

SI7392ADP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI7370DP-T1-GE3

SI7370DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI7374DP-T1-GE3

SI7374DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 24A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI7388DP-T1-E3

SI7388DP-T1-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI7386DP-T1-E3

SI7386DP-T1-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI7374DP-T1-E3

SI7374DP-T1-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 24A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI7392ADP-T1-E3

SI7392ADP-T1-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI7402DN-T1-GE3

SI7402DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 12V 13A PPAK 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI7382DP-T1-GE3

SI7382DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 14A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI7388DP-T1-GE3

SI7388DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI7380ADP-T1-E3

SI7380ADP-T1-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI7402DN-T1-E3

SI7402DN-T1-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 12V 13A PPAK 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI7392DP-T1-GE3

SI7392DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI7384DP-T1-GE3

SI7384DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI7380ADP-T1-GE3

SI7380ADP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI7390DP-T1-GE3

SI7390DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SI7392DP-T1-E3

SI7392DP-T1-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäUutisetSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.