Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

*Yrityksen nimi
*Nimi
*Otsikko

*Sähköpostiosoite
*Puhelinnumero

*Maa
*Kontaktiikkuna
*Tapahtumapäivä

*Viesti

Vierailijoille Electronica 2024

Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.

Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > SI7629DN-T1-GE3

RFQs/tilaus (0)

Suomi

Suomi

2364447

SI7629DN-T1-GE3-kuva

Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7629DN-T1-GE3

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa

3000+

$0.515

Kysely verkossa

tekniset tiedot

Osa numero

SI7629DN-T1-GE3
Valmistaja / merkki

Electro-Films (EFI) / Vishay
Varaston määrä

Varastossa
Kuvaus

MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8 PPAK
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
lomakkeissa

SI7629DN-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
teknologia

MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package

PowerPAK® 1212-8
Sarja

TrenchFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs

4.6 mOhm @ 20A, 10V
Tehonkulutus (Max)

3.7W (Ta), 52W (Tc)
Pakkaus

Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case

PowerPAK® 1212-8
Muut nimet

SI7629DN-T1-GE3TR
SI7629DNT1GE3
Käyttölämpötila

-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi

Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL)

1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika

32 Weeks
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lead free / RoHS Compliant
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

5790pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

177nC @ 10V
FET tyyppi

P-Channel
FET Ominaisuus

-
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 10V
Valua lähde jännite (Vdss)

20V
Yksityiskohtainen kuvaus

P-Channel 20V 35A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C

35A (Tc)

Liittyvät uutiset
laivaus
maksu

On ilmoitettu, että Kioxia saa listalle hyväksynnän 22. ...

Tower Semiconductorin uusin pii -optinen alusta on asetettu...

Teollisuus toipuu hitaasti.Epitaksiaalinen toimittaja IQE h...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Toimittaja: Suuri määrä RTX 50 -sarjan GPU -komponenttej...

Taiwan, Kiinan puolijohdetuottoarvo kasvaa 22%: lla NT:...

LG Display investoi OLED -paneelien tuotantoa lisää milja...

Amazon lisää pyrkimyksiä luoda räätälöityjä AI -sir...

Pegatronin Q3 -nettotulos oli NT 4,296 miljardia dollaria, ...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Etelä -Korea aikoo antaa sirulain torjumaan Trumpin uhkaa

laivaus

Maksu

Seuraava on "SI7629DN-T1-GE3" -tuotteita.

SI7621DN-T1-GE3

SI7621DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 20V 4A 1212-8 PPAK

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7615CDN-T1-GE3

SI7615CDN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 20V 35A POWERPAK1212

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7634BDP-T1-E3

SI7634BDP-T1-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7636DP-T1-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 17A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7625DN-T1-GE3

SI7625DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 30V 35A 1212-8 PPAK

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7634BDP-T1-GE3

SI7634BDP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7613DN-T1-GE3

SI7613DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8 PPAK

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7615DN-T1-GE3

SI7615DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7658ADP-T1-GE3

SI7658ADP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7635DP-T1-GE3

SI7635DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 20V 40A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7655DN-T1-GE3

SI7655DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 20V 40A PPAK 1212

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7619DN-T1-GE3

SI7619DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 30V 24A 1212-8 PPAK

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7615ADN-T1-GE3

SI7615ADN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8S

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7617DN-T1-GE3

SI7617DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 30V 35A 1212-8 PPAK

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7620DN-T1-GE3

SI7620DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 150V 13A 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7623DN-T1-GE3

SI7623DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7636DP-T1-GE3

SI7636DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 17A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7655ADN-T1-GE3

SI7655ADN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 20V 40A 1212-8S

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7633DP-T1-GE3

SI7633DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 20V 60A PPAK 8SO

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7661CJ+

SI7661CJ+

Kuvaus: IC REG SWTCHD CAP INV RATIO 8DIP

valmistajat: Maxim Integrated

Varastossa

Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.

Seuraa meitä

käyttöehdot Rikkomuspolitiikka Pyydä tarjous Meistä Ota meihin yhteyttä Sivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.