Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

*Yrityksen nimi
*Nimi
*Otsikko

*Sähköpostiosoite
*Puhelinnumero

*Maa
*Kontaktiikkuna
*Tapahtumapäivä

*Viesti

Vierailijoille Electronica 2024

Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.

Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > SI7792DP-T1-GE3

RFQs/tilaus (0)

Suomi

Suomi

5437323

SI7792DP-T1-GE3-kuva

Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7792DP-T1-GE3

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Kysely verkossa

tekniset tiedot

Osa numero

SI7792DP-T1-GE3
Valmistaja / merkki

Electro-Films (EFI) / Vishay
Varaston määrä

Varastossa
Kuvaus

MOSFET N-CH 30V P-PACK SO-8
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
lomakkeissa

SI7792DP-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
teknologia

MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package

PowerPAK® SO-8
Sarja

SkyFET®, TrenchFET® Gen III
RDS (Max) @ Id, Vgs

2.1 mOhm @ 20A, 10V
Tehonkulutus (Max)

6.25W (Ta), 104W (Tc)
Pakkaus

Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case

PowerPAK® SO-8
Käyttölämpötila

-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi

Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL)

1 (Unlimited)
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lead free / RoHS Compliant
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

4.735nF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

135nC @ 10V
FET tyyppi

N-Channel
FET Ominaisuus

Schottky Diode (Body)
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Valua lähde jännite (Vdss)

30V
Yksityiskohtainen kuvaus

N-Channel 30V 40.6A (Ta), 60A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C

40.6A (Ta), 60A (Tc)

Liittyvät uutiset
laivaus
maksu

On ilmoitettu, että Kioxia saa listalle hyväksynnän 22. ...

Tower Semiconductorin uusin pii -optinen alusta on asetettu...

Teollisuus toipuu hitaasti.Epitaksiaalinen toimittaja IQE h...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Toimittaja: Suuri määrä RTX 50 -sarjan GPU -komponenttej...

Taiwan, Kiinan puolijohdetuottoarvo kasvaa 22%: lla NT:...

LG Display investoi OLED -paneelien tuotantoa lisää milja...

Amazon lisää pyrkimyksiä luoda räätälöityjä AI -sir...

Pegatronin Q3 -nettotulos oli NT 4,296 miljardia dollaria, ...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Etelä -Korea aikoo antaa sirulain torjumaan Trumpin uhkaa

laivaus

Maksu

Seuraava on "SI7792DP-T1-GE3" -tuotteita.

SI7742DP-T1-GE3

SI7742DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7810DN-T1-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 3.4A 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7784DP-T1-GE3

SI7784DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7758DP-T1-GE3

SI7758DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7802DN-T1-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7790DP-T1-GE3

SI7790DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7748DP-T1-GE3

SI7748DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7804DN-T1-GE3

SI7804DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 6.5A 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7738DP-T1-GE3

SI7738DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 150V 30A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7812DN-T1-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 75V 16A 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7772DP-T1-GE3

SI7772DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 35.6A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7806ADN-T1-E3

SI7806ADN-T1-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 9A 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7794DP-T1-GE3

SI7794DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V P-PACK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7788DP-T1-GE3

SI7788DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7802DN-T1-GE3

SI7802DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7774DP-T1-GE3

SI7774DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7810DN-T1-GE3

SI7810DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 3.4A 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7806ADN-T1-GE3

SI7806ADN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 9A 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7804DN-T1-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 6.5A 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7738DP-T1-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 150V 30A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.

Seuraa meitä

käyttöehdot Rikkomuspolitiikka Pyydä tarjous Meistä Ota meihin yhteyttä Sivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.