Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

*Yrityksen nimi
*Nimi
*Otsikko

*Sähköpostiosoite
*Puhelinnumero

*Maa
*Kontaktiikkuna
*Tapahtumapäivä

*Viesti

Vierailijoille Electronica 2024

Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.

Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrayit > SI7980DP-T1-GE3

RFQs/tilaus (0)

Suomi

Suomi

2394705

SI7980DP-T1-GE3-kuva

Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7980DP-T1-GE3

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa

3000+

$0.792

Kysely verkossa

tekniset tiedot

Osa numero

SI7980DP-T1-GE3
Valmistaja / merkki

Electro-Films (EFI) / Vishay
Varaston määrä

Varastossa
Kuvaus

MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK SO-8
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
lomakkeissa

SI7980DP-T1-GE3.pdf
ECAD -malli
Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Toimittaja Device Package

PowerPAK® SO-8 Dual
Sarja

TrenchFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs

22 mOhm @ 5A, 10V
Virta - Max

19.8W, 21.9W
Pakkaus

Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case

PowerPAK® SO-8 Dual
Muut nimet

SI7980DP-T1-GE3TR
SI7980DPT1GE3
Käyttölämpötila

-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi

Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL)

1 (Unlimited)
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lead free / RoHS Compliant
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

1010pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 10V
FET tyyppi

2 N-Channel (Half Bridge)
FET Ominaisuus

Standard
Valua lähde jännite (Vdss)

20V
Yksityiskohtainen kuvaus

Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 20V 8A 19.8W, 21.9W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C

8A
Perusosan osanumero

SI7980

Liittyvät uutiset
laivaus
maksu

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

Microchip ilmoittaa 500 lomautusta, ja rakenneuudistuskusta...

Quanta: AI -kysyntä on edelleen vahvaa, tasaisella tilausv...

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

Samsung vähentää merkittävästi fotoresistista käyttö...

Vishay sijoittaa 51 miljoonaa puntaa hankittuun NWF -kiekkoon

Trumpin tariffirasva, Nvidia, Intel -toimittajat arvioivat ...

Intel saa 7,86 miljardia dollaria tukia Yhdysvaltain sirula...

laivaus

Maksu

Seuraava on "SI7980DP-T1-GE3" -tuotteita.

SI7956DP-T1-E3

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7960DP-T1-E3

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7958DP-T1-E3

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7998DP-T1-GE3

SI7998DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7964DP-T1-E3

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 60V 6.1A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7980DP-T1-E3

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7983DP-T1-E3

Kuvaus: MOSFET 2P-CH 20V 7.7A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7964DP-T1-GE3

SI7964DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 60V 6.1A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7983DP-T1-GE3

SI7983DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET 2P-CH 20V 7.7A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7946DP-T1-GE3

SI7946DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 150V 2.1A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7997DP-T1-GE3

SI7997DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7949DP-T1-GE3

SI7949DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7958DP-T1-GE3

SI7958DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7948DP-T1-GE3

SI7948DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 60V 3A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7956DP-T1-GE3

SI7956DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7962DP-T1-E3

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 40V 7.1A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7994DP-T1-GE3

SI7994DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 30V 60A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7972DP-T1-GE3

SI7972DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7949DP-T1-E3

Kuvaus: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SI7960DP-T1-GE3

SI7960DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.

Seuraa meitä

käyttöehdot Rikkomuspolitiikka Pyydä tarjous Meistä Ota meihin yhteyttä Uutiset Sivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.