Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > SIHB15N60E-GE3
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
6209732SIHB15N60E-GE3-kuvaElectro-Films (EFI) / Vishay

SIHB15N60E-GE3

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa
1+
$3.61
10+
$3.22
100+
$2.64
500+
$2.138
1000+
$1.803
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    SIHB15N60E-GE3
  • Valmistaja / merkki
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    MOSFET N-CH 600V 15A DPAK
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    SIHB15N60E-GE3.pdf
  • ECAD -malli
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • teknologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Toimittaja Device Package
    D2PAK
  • Sarja
    -
  • RDS (Max) @ Id, Vgs
    280 mOhm @ 8A, 10V
  • Tehonkulutus (Max)
    180W (Tc)
  • Pakkaus
    Bulk
  • Pakkaus / Case
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Muut nimet
    SIHB15N60EGE3
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Asennustyyppi
    Surface Mount
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
    1350pF @ 100V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    78nC @ 10V
  • FET tyyppi
    N-Channel
  • FET Ominaisuus
    -
  • Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Valua lähde jännite (Vdss)
    600V
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    N-Channel 600V 15A (Tc) 180W (Tc) Surface Mount D2PAK
  • Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
    15A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

26.01.2025

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

13.01.2025

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

31.12.2024

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

23.12.2024

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

12.12.2024

Microchip ilmoittaa 500 lomautusta, ja rakenneuudistuskusta...

04.12.2024

Quanta: AI -kysyntä on edelleen vahvaa, tasaisella tilausv...

03.12.2024

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

02.12.2024

Samsung vähentää merkittävästi fotoresistista käyttö...

02.12.2024

Vishay sijoittaa 51 miljoonaa puntaa hankittuun NWF -kiekkoon

29.11.2024

Trumpin tariffirasva, Nvidia, Intel -toimittajat arvioivat ...

28.11.2024

Intel saa 7,86 miljardia dollaria tukia Yhdysvaltain sirula...

27.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "SIHB15N60E-GE3" -tuotteita.
SIHB12N60ET5-GE3

SIHB12N60ET5-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 12A TO263

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIHB12N60ET1-GE3

SIHB12N60ET1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 12A TO263

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIHB16N50C-E3

SIHB16N50C-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 500V 16A D2PAK

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIHB12N65E-GE3

SIHB12N65E-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIHB22N60E-E3

SIHB22N60E-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIHB21N60EF-GE3

SIHB21N60EF-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK TO263

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIHB22N60E-GE3

SIHB22N60E-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIHB10N40D-GE3

SIHB10N40D-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 400V 10A DPAK

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIHB12N65E-GE3

SIHB12N65E-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK

valmistajat: Vishay Siliconix
Varastossa
RFQ
SIHB18N60E-GE3

SIHB18N60E-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 18A TO263

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIHB22N60AE-GE3

SIHB22N60AE-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIHB22N60AEL-GE3

SIHB22N60AEL-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CHAN 600V

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIHB21N65EF-GE3

SIHB21N65EF-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 650V 21A D2PAK

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIHB15N65E-GE3

SIHB15N65E-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 650V 15A TO263

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIHB12N50E-GE3

SIHB12N50E-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 500V 10.5A TO-263

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIHB15N50E-GE3

SIHB15N50E-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 500V 14.5A TO-263

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIHB12N50C-E3

SIHB12N50C-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIHA6N80E-GE3

SIHA6N80E-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CHAN 800V TO-220FP

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIHB12N60E-GE3

SIHB12N60E-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 12A TO263

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIHB20N50E-GE3

SIHB20N50E-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 500V 19A TO-263

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäUutisetSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.