Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

*Yrityksen nimi
*Nimi
*Otsikko

*Sähköpostiosoite
*Puhelinnumero

*Maa
*Kontaktiikkuna
*Tapahtumapäivä

*Viesti

Vierailijoille Electronica 2024

Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.

Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > SIHD5N50D-GE3

RFQs/tilaus (0)

Suomi

Suomi

3690874

SIHD5N50D-GE3-kuva

Electro-Films (EFI) / Vishay

SIHD5N50D-GE3

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa

1+

$1.22

10+

$1.08

100+

$0.854

500+

$0.662

1000+

$0.523

Kysely verkossa

tekniset tiedot

Osa numero

SIHD5N50D-GE3
Valmistaja / merkki

Electro-Films (EFI) / Vishay
Varaston määrä

Varastossa
Kuvaus

MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
lomakkeissa

SIHD5N50D-GE3.pdf
ECAD -malli
Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
teknologia

MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package

TO-252AA
Sarja

-
RDS (Max) @ Id, Vgs

1.5 Ohm @ 2.5A, 10V
Tehonkulutus (Max)

104W (Tc)
Pakkaus

Tube
Pakkaus / Case

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Muut nimet

SIHD5N50D-GE3CT
SIHD5N50D-GE3CT-ND
Käyttölämpötila

-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi

Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL)

1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika

18 Weeks
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lead free / RoHS Compliant
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

325pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V
FET tyyppi

N-Channel
FET Ominaisuus

-
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Valua lähde jännite (Vdss)

500V
Yksityiskohtainen kuvaus

N-Channel 500V 5.3A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C

5.3A (Tc)

Liittyvät uutiset
laivaus
maksu

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

Microchip ilmoittaa 500 lomautusta, ja rakenneuudistuskusta...

Quanta: AI -kysyntä on edelleen vahvaa, tasaisella tilausv...

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

Samsung vähentää merkittävästi fotoresistista käyttö...

Vishay sijoittaa 51 miljoonaa puntaa hankittuun NWF -kiekkoon

Trumpin tariffirasva, Nvidia, Intel -toimittajat arvioivat ...

Intel saa 7,86 miljardia dollaria tukia Yhdysvaltain sirula...

laivaus

Maksu

Seuraava on "SIHD5N50D-GE3" -tuotteita.

SIHD240N60E-GE3

SIHD240N60E-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CHAN 600V DPAK TO-252

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIHD6N65ET4-GE3

SIHD6N65ET4-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIHD6N65ET1-GE3

SIHD6N65ET1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIHB8N50D-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 500V 8.7A D2PAK

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIHD7N60E-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 7A TO-252

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIHD6N62E-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 620V 6A TO-252

valmistajat: Vishay Siliconix

Varastossa

SIHD12N50E-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CHAN 500V DPAK

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIHD6N62ET1-GE3

SIHD6N62ET1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 620V 6A TO252AA

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIHD2N80E-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 800V 2.8A DPAK

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIHD5N50D-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIHD4N80E-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CHAN 800V FP TO-252

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIHD6N65ET5-GE3

SIHD6N65ET5-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIHD7N60E-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 7A TO-252

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIHD6N80E-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CHAN 800V TO-252

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIHD6N65E-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 650V 7A TO252

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIHD6N62E-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 620V 6A TO-252

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIHD3N50D-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 500V 3A TO252 DPAK

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIHD14N60E-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CHANNEL 600V 13A DPAK

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIHD3N50D-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 500V 3A TO252 DPAK

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIHD5N50D-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK

valmistajat: Vishay Siliconix

Varastossa

Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.

Seuraa meitä

käyttöehdot Rikkomuspolitiikka Pyydä tarjous Meistä Ota meihin yhteyttä Uutiset Sivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.