Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > SIHU3N50D-E3
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
1984799SIHU3N50D-E3-kuvaElectro-Films (EFI) / Vishay

SIHU3N50D-E3

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa
3000+
$0.417
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    SIHU3N50D-E3
  • Valmistaja / merkki
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAK
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    SIHU3N50D-E3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • teknologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Toimittaja Device Package
    TO-251AA
  • Sarja
    -
  • RDS (Max) @ Id, Vgs
    3.2 Ohm @ 2.5A, 10V
  • Tehonkulutus (Max)
    69W (Tc)
  • Pakkaus
    Tube
  • Pakkaus / Case
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Muut nimet
    SIHU3N50D-E3CT
    SIHU3N50D-E3CT-ND
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Asennustyyppi
    Through Hole
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Valmistajan toimitusaika
    13 Weeks
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
    175pF @ 100V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    12nC @ 10V
  • FET tyyppi
    N-Channel
  • FET Ominaisuus
    -
  • Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Valua lähde jännite (Vdss)
    500V
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    N-Channel 500V 3A (Tc) 69W (Tc) Through Hole TO-251AA
  • Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
    3A (Tc)

AMD käynnistää Bangaloren suunnittelukeskuksen toisen va...

26.11.2024

NVIDIA RTX 5090 -näytönohjaimen GPU -pinta -ala on 744 mm...

25.11.2024

Antropia saa vielä 4 miljardin dollarin sijoituksen Amazon...

23.11.2024

Puoli: IC -myynnin nousu 12%: lla kolmannella vuosinelj...

22.11.2024

On ilmoitettu, että Kioxia saa listalle hyväksynnän 22. ...

21.11.2024

Tower Semiconductorin uusin pii -optinen alusta on asetettu...

20.11.2024

Teollisuus toipuu hitaasti.Epitaksiaalinen toimittaja IQE h...

19.11.2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19.11.2024

The core value and future development trend of passive comp...

18.11.2024

Toimittaja: Suuri määrä RTX 50 -sarjan GPU -komponenttej...

18.11.2024

Taiwan, Kiinan puolijohdetuottoarvo kasvaa 22%: lla NT:...

17.11.2024

LG Display investoi OLED -paneelien tuotantoa lisää milja...

15.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "SIHU3N50D-E3" -tuotteita.
SIHU6N62E-GE3

SIHU6N62E-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 620V 6A TO-251

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIHP7N60E-GE3

SIHP7N60E-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 7A TO-220AB

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIHS36N50D-E3

SIHS36N50D-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 500V 36A SUPER-247

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIHU4N80E-GE3

SIHU4N80E-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CHAN 800V TO-251

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIHU5N50D-E3

SIHU5N50D-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251 IPAK

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIHU7N60E-GE3

SIHU7N60E-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 7A TO-251

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIHU5N50D-GE3

SIHU5N50D-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251 IPAK

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIHU6N80E-GE3

SIHU6N80E-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CHAN 800V TO-251

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIHU6N65E-GE3

SIHU6N65E-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 650V 6A IPAK

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIHU3N50D-GE3

SIHU3N50D-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAK

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIHP6N80E-GE3

SIHP6N80E-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CHAN 800V TO-220AB

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIHU3N50DA-GE3

SIHU3N50DA-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CHANNEL 500V 3A IPAK

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIHS90N65E-E3

SIHS90N65E-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 650V 87A SUPER247

valmistajat: Vishay Siliconix
Varastossa
RFQ
SIHU2N80E-GE3

SIHU2N80E-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 800V 2.8A IPAK

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIHP7N60E-E3

SIHP7N60E-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 7A TO-220AB

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIHP8N50D-GE3

SIHP8N50D-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIHS90N65E-E3

SIHS90N65E-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 650V 87A SUPER247

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIHP8N50D-E3

SIHP8N50D-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIHU7N60E-E3

SIHU7N60E-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 7A TO-251

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIHS20N50C-E3

SIHS20N50C-E3

Kuvaus: MOSFET N-CH 500V 20A TO-247AD

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.