Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

*Yrityksen nimi
*Nimi
*Otsikko

*Sähköpostiosoite
*Puhelinnumero

*Maa
*Kontaktiikkuna
*Tapahtumapäivä

*Viesti

Vierailijoille Electronica 2024

Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.

Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > SIR412DP-T1-GE3

RFQs/tilaus (0)

Suomi

Suomi

2427132

SIR412DP-T1-GE3-kuva

Electro-Films (EFI) / Vishay

SIR412DP-T1-GE3

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa

3000+

$0.35

Kysely verkossa

tekniset tiedot

Osa numero

SIR412DP-T1-GE3
Valmistaja / merkki

Electro-Films (EFI) / Vishay
Varaston määrä

Varastossa
Kuvaus

MOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
lomakkeissa

SIR412DP-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
teknologia

MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package

PowerPAK® SO-8
Sarja

TrenchFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs

12 mOhm @ 10A, 10V
Tehonkulutus (Max)

3.9W (Ta), 15.6W (Tc)
Pakkaus

Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case

PowerPAK® SO-8
Muut nimet

SIR412DP-T1-GE3TR
SIR412DPT1GE3
Käyttölämpötila

-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi

Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL)

1 (Unlimited)
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lead free / RoHS Compliant
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

600pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 10V
FET tyyppi

N-Channel
FET Ominaisuus

-
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Valua lähde jännite (Vdss)

25V
Yksityiskohtainen kuvaus

N-Channel 25V 20A (Tc) 3.9W (Ta), 15.6W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C

20A (Tc)

Liittyvät uutiset
laivaus
maksu

On ilmoitettu, että Kioxia saa listalle hyväksynnän 22. ...

Tower Semiconductorin uusin pii -optinen alusta on asetettu...

Teollisuus toipuu hitaasti.Epitaksiaalinen toimittaja IQE h...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Toimittaja: Suuri määrä RTX 50 -sarjan GPU -komponenttej...

Taiwan, Kiinan puolijohdetuottoarvo kasvaa 22%: lla NT:...

LG Display investoi OLED -paneelien tuotantoa lisää milja...

Amazon lisää pyrkimyksiä luoda räätälöityjä AI -sir...

Pegatronin Q3 -nettotulos oli NT 4,296 miljardia dollaria, ...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Etelä -Korea aikoo antaa sirulain torjumaan Trumpin uhkaa

laivaus

Maksu

Seuraava on "SIR412DP-T1-GE3" -tuotteita.

SIR401DP-T1-GE3

SIR401DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 20V 50A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIR414DP-T1-GE3

SIR414DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIR426DP-T1-GE3

SIR426DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIR438DP-T1-GE3

SIR438DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIR383C

Kuvaus: EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL

valmistajat: Everlight Electronics

Varastossa

SIR404DP-T1-GE3

SIR404DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIR402DP-T1-GE3

SIR402DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIR432DP-T1-GE3

SIR432DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 28.4A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIR424DP-T1-GE3

SIR424DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIR408DP-T1-GE3

SIR408DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIR440DP-T1-GE3

SIR440DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIR403EDP-T1-GE3

SIR403EDP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 30V 40A PPAK 8SO

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIR406DP-T1-GE3

SIR406DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIR416DP-T1-GE3

SIR416DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIR410DP-T1-GE3

SIR410DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIR422DP-T1-GE3

SIR422DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIR418DP-T1-GE3

SIR418DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIR383

Kuvaus: EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL

valmistajat: Everlight Electronics

Varastossa

SIR333-A

Kuvaus: EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL

valmistajat: Everlight Electronics

Varastossa

SIR436DP-T1-GE3

SIR436DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.

Seuraa meitä

käyttöehdot Rikkomuspolitiikka Pyydä tarjous Meistä Ota meihin yhteyttä Sivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.