Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > SIR692DP-T1-RE3
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
2579014SIR692DP-T1-RE3-kuvaElectro-Films (EFI) / Vishay

SIR692DP-T1-RE3

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa
1+
$2.12
10+
$1.912
100+
$1.537
500+
$1.195
1000+
$0.99
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    SIR692DP-T1-RE3
  • Valmistaja / merkki
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    MOSFET N-CH 250V 24.2A SO-8
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    SIR692DP-T1-RE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • teknologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Toimittaja Device Package
    PowerPAK® SO-8
  • Sarja
    ThunderFET®
  • RDS (Max) @ Id, Vgs
    63 mOhm @ 10A, 10V
  • Tehonkulutus (Max)
    104W (Tc)
  • Pakkaus
    Original-Reel®
  • Pakkaus / Case
    PowerPAK® SO-8
  • Muut nimet
    SIR692DP-T1-RE3DKR
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Asennustyyppi
    Surface Mount
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
    1405pF @ 125V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    30nC @ 7.5V
  • FET tyyppi
    N-Channel
  • FET Ominaisuus
    -
  • Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
    7.5V, 10V
  • Valua lähde jännite (Vdss)
    250V
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    N-Channel 250V 24.2A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
    24.2A (Tc)

On ilmoitettu, että Kioxia saa listalle hyväksynnän 22. ...

21.11.2024

Tower Semiconductorin uusin pii -optinen alusta on asetettu...

20.11.2024

Teollisuus toipuu hitaasti.Epitaksiaalinen toimittaja IQE h...

19.11.2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19.11.2024

The core value and future development trend of passive comp...

18.11.2024

Toimittaja: Suuri määrä RTX 50 -sarjan GPU -komponenttej...

18.11.2024

Taiwan, Kiinan puolijohdetuottoarvo kasvaa 22%: lla NT:...

17.11.2024

LG Display investoi OLED -paneelien tuotantoa lisää milja...

15.11.2024

Amazon lisää pyrkimyksiä luoda räätälöityjä AI -sir...

14.11.2024

Pegatronin Q3 -nettotulos oli NT 4,296 miljardia dollaria, ...

13.11.2024

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

13.11.2024

Etelä -Korea aikoo antaa sirulain torjumaan Trumpin uhkaa

13.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "SIR692DP-T1-RE3" -tuotteita.
SIR680DP-T1-RE3

SIR680DP-T1-RE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 80V 100A POWERPAKSO

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIR798DP-T1-GE3

SIR798DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIR800DP-T1-GE3

SIR800DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIR662DP-T1-GE3

SIR662DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIR774DP-T1-GE3

SIR774DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIR804DP-T1-GE3

SIR804DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIR688DP-T1-GE3

SIR688DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIR668ADP-T1-RE3

SIR668ADP-T1-RE3

Kuvaus: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIR690DP-T1-RE3

SIR690DP-T1-RE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 200V 34.4A SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIR770DP-T1-GE3

SIR770DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIR670DP-T1-GE3

SIR670DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIR668DP-T1-RE3

SIR668DP-T1-RE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 95A POWERPAKSO

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIR800DP-T1-RE3

SIR800DP-T1-RE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 50A POWERPAKSO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIR698DP-T1-GE3

SIR698DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 7.5A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIR690DP-T1-GE3

SIR690DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 200V 34.4A SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIR802DP-T1-GE3

SIR802DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIR664DP-T1-GE3

SIR664DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIR696DP-T1-GE3

SIR696DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 125V 60A POWERPAKSO

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIR788DP-T1-GE3

SIR788DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIR67-21C/TR8

SIR67-21C/TR8

Kuvaus: EMITTER IR 875NM 65MA SMD

valmistajat: Everlight Electronics
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.