Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > SIR872DP-T1-GE3
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
1046745SIR872DP-T1-GE3-kuvaElectro-Films (EFI) / Vishay

SIR872DP-T1-GE3

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa
1+
$3.39
10+
$3.063
100+
$2.461
500+
$1.914
1000+
$1.586
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    SIR872DP-T1-GE3
  • Valmistaja / merkki
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    SIR872DP-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • teknologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Sarja
    TrenchFET®
  • RDS (Max) @ Id, Vgs
    18 mOhm @ 20A, 10V
  • Tehonkulutus (Max)
    6.25W (Ta), 104W (Tc)
  • Pakkaus
    Original-Reel®
  • Pakkaus / Case
    PowerPAK® SO-8
  • Muut nimet
    SIR872DP-T1-GE3DKR
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Asennustyyppi
    Surface Mount
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
    2130pF @ 75V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    64nC @ 10V
  • FET tyyppi
    N-Channel
  • FET Ominaisuus
    -
  • Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Valua lähde jännite (Vdss)
    150V
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    N-Channel 150V 53.7A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount
  • Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
    53.7A (Tc)

Antropia saa vielä 4 miljardin dollarin sijoituksen Amazon...

23.11.2024

Puoli: IC -myynnin nousu 12%: lla kolmannella vuosinelj...

22.11.2024

On ilmoitettu, että Kioxia saa listalle hyväksynnän 22. ...

21.11.2024

Tower Semiconductorin uusin pii -optinen alusta on asetettu...

20.11.2024

Teollisuus toipuu hitaasti.Epitaksiaalinen toimittaja IQE h...

19.11.2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19.11.2024

The core value and future development trend of passive comp...

18.11.2024

Toimittaja: Suuri määrä RTX 50 -sarjan GPU -komponenttej...

18.11.2024

Taiwan, Kiinan puolijohdetuottoarvo kasvaa 22%: lla NT:...

17.11.2024

LG Display investoi OLED -paneelien tuotantoa lisää milja...

15.11.2024

Amazon lisää pyrkimyksiä luoda räätälöityjä AI -sir...

14.11.2024

Pegatronin Q3 -nettotulos oli NT 4,296 miljardia dollaria, ...

13.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "SIR872DP-T1-GE3" -tuotteita.
SIR870ADP-T1-RE3

SIR870ADP-T1-RE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 60A POWERPAKSO

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIR882ADP-T1-GE3

SIR882ADP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIR880ADP-T1-GE3

SIR880ADP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIR872ADP-T1-GE3

SIR872ADP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIR878BDP-T1-RE3

SIR878BDP-T1-RE3

Kuvaus: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIR876DP-T1-GE3

SIR876DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIR878ADP-T1-GE3

SIR878ADP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIR880DP-T1-GE3

SIR880DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIR870DP-T1-GE3

SIR870DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIR871DP-T1-GE3

SIR871DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 100V 48A POWERPAKSO

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIR862DP-T1-GE3

SIR862DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIR876ADP-T1-GE3

SIR876ADP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIR878DP-T1-GE3

SIR878DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIR850DP-T1-GE3

SIR850DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 25V 30A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIR873DP-T1-GE3

SIR873DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 150V 37A POWERPAKSO

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIR874DP-T1-GE3

SIR874DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIR864DP-T1-GE3

SIR864DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK 8SO

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIR870ADP-T1-GE3

SIR870ADP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIR866DP-T1-GE3

SIR866DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIR872ADP-T1-RE3

SIR872ADP-T1-RE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 150V 53.7A SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.