Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

*Yrityksen nimi
*Nimi
*Otsikko

*Sähköpostiosoite
*Puhelinnumero

*Maa
*Kontaktiikkuna
*Tapahtumapäivä

*Viesti

Vierailijoille Electronica 2024

Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.

Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > SIRA20DP-T1-RE3

RFQs/tilaus (0)

Suomi

Suomi

4778153

SIRA20DP-T1-RE3-kuva

Electro-Films (EFI) / Vishay

SIRA20DP-T1-RE3

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa

1+

$1.89

10+

$1.671

100+

$1.32

500+

$1.024

1000+

$0.808

Kysely verkossa

tekniset tiedot

Osa numero

SIRA20DP-T1-RE3
Valmistaja / merkki

Electro-Films (EFI) / Vishay
Varaston määrä

Varastossa
Kuvaus

MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK SO-8
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
lomakkeissa

SIRA20DP-T1-RE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA
Vgs (Max)

+16V, -12V
teknologia

MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package

PowerPAK® SO-8
Sarja

TrenchFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs

0.58 mOhm @ 20A, 10V
Tehonkulutus (Max)

6.25W (Ta), 104W (Tc)
Pakkaus

Cut Tape (CT)
Pakkaus / Case

PowerPAK® SO-8
Muut nimet

SIRA20DP-T1-RE3CT
Käyttölämpötila

-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi

Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL)

1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika

32 Weeks
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lead free / RoHS Compliant
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

10850pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

200nC @ 10V
FET tyyppi

N-Channel
FET Ominaisuus

-
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Valua lähde jännite (Vdss)

25V
Yksityiskohtainen kuvaus

N-Channel 25V 81.7A (Ta), 100A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C

81.7A (Ta), 100A (Tc)

Liittyvät uutiset
laivaus
maksu

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

Microchip ilmoittaa 500 lomautusta, ja rakenneuudistuskusta...

Quanta: AI -kysyntä on edelleen vahvaa, tasaisella tilausv...

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

Samsung vähentää merkittävästi fotoresistista käyttö...

Vishay sijoittaa 51 miljoonaa puntaa hankittuun NWF -kiekkoon

Trumpin tariffirasva, Nvidia, Intel -toimittajat arvioivat ...

Intel saa 7,86 miljardia dollaria tukia Yhdysvaltain sirula...

AMD käynnistää Bangaloren suunnittelukeskuksen toisen va...

laivaus

Maksu

Seuraava on "SIRA20DP-T1-RE3" -tuotteita.

SIRA50DP-T1-RE3

SIRA50DP-T1-RE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V PWRPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIRA14DP-T1-GE3

SIRA14DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 58A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIRA16DP-T1-GE3

SIRA16DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V D-S PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIRA52DP-T1-GE3

SIRA52DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIRA52ADP-T1-RE3

SIRA52ADP-T1-RE3

Kuvaus: MOSFET N-CHAN 40V PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIRA18DP-T1-GE3

SIRA18DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 33A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIRA26DP-T1-RE3

SIRA26DP-T1-RE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIRA10BDP-T1-GE3

SIRA10BDP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CHAN 30V

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIRA10DP-T1-GE3

SIRA10DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIRA50ADP-T1-RE3

SIRA50ADP-T1-RE3

Kuvaus: MOSFET N-CHAN 40V PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIRA18DP-T1-RE3

SIRA18DP-T1-RE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 33A POWERPAKSO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIRA12DP-T1-GE3

SIRA12DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 25A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIRA36DP-T1-GE3

SIRA36DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIRA12BDP-T1-GE3

SIRA12BDP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CHAN 30V

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIRA32DP-T1-RE3

SIRA32DP-T1-RE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIRA22DP-T1-RE3

SIRA22DP-T1-RE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIRA18ADP-T1-GE3

SIRA18ADP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 30.6A POWERPAKSO

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIRA06DP-T1-GE3

SIRA06DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIRA34DP-T1-GE3

SIRA34DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIRA24DP-T1-GE3

SIRA24DP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.

Seuraa meitä

käyttöehdot Rikkomuspolitiikka Pyydä tarjous Meistä Ota meihin yhteyttä Sivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.