Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

*Yrityksen nimi
*Nimi
*Otsikko

*Sähköpostiosoite
*Puhelinnumero

*Maa
*Kontaktiikkuna
*Tapahtumapäivä

*Viesti

Vierailijoille Electronica 2024

Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.

Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > SIS402DN-T1-GE3

RFQs/tilaus (0)

Suomi

Suomi

4677151

SIS402DN-T1-GE3-kuva

Electro-Films (EFI) / Vishay

SIS402DN-T1-GE3

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa

1+

$2.24

10+

$2.023

100+

$1.626

500+

$1.264

1000+

$1.048

Kysely verkossa

tekniset tiedot

Osa numero

SIS402DN-T1-GE3
Valmistaja / merkki

Electro-Films (EFI) / Vishay
Varaston määrä

Varastossa
Kuvaus

MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
lomakkeissa

SIS402DN-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
teknologia

MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package

PowerPAK® 1212-8
Sarja

TrenchFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs

6 mOhm @ 19A, 10V
Tehonkulutus (Max)

3.8W (Ta), 52W (Tc)
Pakkaus

Cut Tape (CT)
Pakkaus / Case

PowerPAK® 1212-8
Muut nimet

SIS402DN-T1-GE3CT
Käyttölämpötila

-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi

Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL)

1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika

27 Weeks
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lead free / RoHS Compliant
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

1700pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

42nC @ 10V
FET tyyppi

N-Channel
FET Ominaisuus

-
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Valua lähde jännite (Vdss)

30V
Yksityiskohtainen kuvaus

N-Channel 30V 35A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C

35A (Tc)

Liittyvät uutiset
laivaus
maksu

On ilmoitettu, että Kioxia saa listalle hyväksynnän 22. ...

Tower Semiconductorin uusin pii -optinen alusta on asetettu...

Teollisuus toipuu hitaasti.Epitaksiaalinen toimittaja IQE h...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Toimittaja: Suuri määrä RTX 50 -sarjan GPU -komponenttej...

Taiwan, Kiinan puolijohdetuottoarvo kasvaa 22%: lla NT:...

LG Display investoi OLED -paneelien tuotantoa lisää milja...

Amazon lisää pyrkimyksiä luoda räätälöityjä AI -sir...

Pegatronin Q3 -nettotulos oli NT 4,296 miljardia dollaria, ...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Etelä -Korea aikoo antaa sirulain torjumaan Trumpin uhkaa

laivaus

Maksu

Seuraava on "SIS402DN-T1-GE3" -tuotteita.

SIS415DNT-T1-GE3

SIS415DNT-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIS407ADN-T1-GE3

SIS407ADN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 20V 18A 1212-8 PPAK

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIS106DN-T1-GE3

SIS106DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CHAN 60V POWERPAK 1212-

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIS426DN-T1-GE3

SIS426DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 35A 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIS330DN-T1-GE3

SIS330DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIS334DN-T1-GE3

SIS334DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIS184DN-T1-GE3

SIS184DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CHAN 60V POWERPAK 1212-

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIS110DN-T1-GE3

SIS110DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK 1212

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIS07VA

Kuvaus: DC DC CONVERTER 1.5V 10W

valmistajat: Bel

Varastossa

SIS07VE

Kuvaus: DC DC CONVERTER 3.3V 23W

valmistajat: Bel

Varastossa

SIS07VD

Kuvaus: DC DC CONVERTER 2.5V 17W

valmistajat: Bel

Varastossa

SIS414DN-T1-GE3

SIS414DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8 PPAK

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIS412DN-T1-GE3

SIS412DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8 PPAK

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIS07VB

Kuvaus: DC DC CONVERTER 1.8V 12W

valmistajat: Bel

Varastossa

SIS424DN-T1-GE3

SIS424DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIS407DN-T1-GE3

SIS407DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 20V 25A 1212-8 PPAK

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIS406DN-T1-GE3

SIS406DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 9A 1212-8 PPAK

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIS322DNT-T1-GE3

SIS322DNT-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIS413DN-T1-GE3

SIS413DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIS410DN-T1-GE3

SIS410DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.

Seuraa meitä

käyttöehdot Rikkomuspolitiikka Pyydä tarjous Meistä Ota meihin yhteyttä Sivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.