Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

*Yrityksen nimi
*Nimi
*Otsikko

*Sähköpostiosoite
*Puhelinnumero

*Maa
*Kontaktiikkuna
*Tapahtumapäivä

*Viesti

Vierailijoille Electronica 2024

Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.

Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > SIS606BDN-T1-GE3

RFQs/tilaus (0)

Suomi

Suomi

2631834

SIS606BDN-T1-GE3-kuva

Electro-Films (EFI) / Vishay

SIS606BDN-T1-GE3

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa

3000+

$0.692

Kysely verkossa

tekniset tiedot

Osa numero

SIS606BDN-T1-GE3
Valmistaja / merkki

Electro-Films (EFI) / Vishay
Varaston määrä

Varastossa
Kuvaus

MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK 1212
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
lomakkeissa

SIS606BDN-T1-GE3.pdf
ECAD -malli
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
teknologia

MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package

PowerPAK® 1212-8
Sarja

TrenchFET® Gen IV
RDS (Max) @ Id, Vgs

17.4 mOhm @ 10A, 10V
Tehonkulutus (Max)

3.7W (Ta), 52W (Tc)
Pakkaus

Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case

PowerPAK® 1212-8
Muut nimet

SIS606BDN-T1-GE3TR
Käyttölämpötila

-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi

Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL)

1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika

32 Weeks
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lead free / RoHS Compliant
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

1470pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V
FET tyyppi

N-Channel
FET Ominaisuus

-
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)

7.5V, 10V
Valua lähde jännite (Vdss)

100V
Yksityiskohtainen kuvaus

N-Channel 100V 9.4A (Ta), 35.3A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C

9.4A (Ta), 35.3A (Tc)

Liittyvät uutiset
laivaus
maksu

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

Microchip ilmoittaa 500 lomautusta, ja rakenneuudistuskusta...

Quanta: AI -kysyntä on edelleen vahvaa, tasaisella tilausv...

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

Samsung vähentää merkittävästi fotoresistista käyttö...

Vishay sijoittaa 51 miljoonaa puntaa hankittuun NWF -kiekkoon

Trumpin tariffirasva, Nvidia, Intel -toimittajat arvioivat ...

Intel saa 7,86 miljardia dollaria tukia Yhdysvaltain sirula...

laivaus

Maksu

Seuraava on "SIS606BDN-T1-GE3" -tuotteita.

SIS456DN-T1-GE3

SIS456DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIS698DN-T1-GE3

SIS698DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 6.9A 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIS472ADN-T1-GE3

SIS472ADN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 24A POWERPAK1212

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIS5102QP2HT1G

SIS5102QP2HT1G

Kuvaus: IC SMART HOTPLUG HI SIDE 12PLLP

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

SIS626DN-T1-GE3

SIS626DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 25V 16A POWERPAK1212

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIS496EDNT-T1-GE3

SIS496EDNT-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 50A POWERPAK1212

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIS478DN-T1-GE3

SIS478DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIS476DN-T1-GE3

SIS476DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 40A 1212-8 PWR

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIS612EDNT-T1-GE3

SIS612EDNT-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 50A SMT

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIS780DN-T1-GE3

SIS780DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 18A POWERPAK1212

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIS472DN-T1-GE3

SIS472DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIS488DN-T1-GE3

SIS488DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 40A 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIS822DNT-T1-GE3

SIS822DNT-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 12A POWERPAK1212

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIS888DN-T1-GE3

SIS888DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 150V 20.2A 1212-8S

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIS468DN-T1-GE3

SIS468DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 80V 30A 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIS862DN-T1-GE3

SIS862DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 40A 1212

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIS782DN-T1-GE3

SIS782DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 16A POWERPAK1212

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIS778DN-T1-GE3

SIS778DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 35A POWERPAK1212

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SIS5102QP1HT1G

SIS5102QP1HT1G

Kuvaus: IC SMART HOTPLUG HI SIDE 12PLLP

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Varastossa

SIS776DN-T1-GE3

SIS776DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.

Seuraa meitä

käyttöehdot Rikkomuspolitiikka Pyydä tarjous Meistä Ota meihin yhteyttä Uutiset Sivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.