SISA34DN-T1-GE3

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa

$0.62

10+

$0.518

100+

$0.389

500+

$0.285

1000+

$0.22

Kysely verkossa

tekniset tiedot

Osa numero

SISA34DN-T1-GE3
Valmistaja / merkki

Electro-Films (EFI) / Vishay
Varaston määrä

Varastossa
Kuvaus

MOSFET N-CH 30V 40A POWERPAK1212
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
lomakkeissa

SISA34DN-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA
Vgs (Max)

+20V, -16V
teknologia

MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package

PowerPAK® 1212-8
Sarja

TrenchFET® Gen IV
RDS (Max) @ Id, Vgs

6.7 mOhm @ 10A, 10V
Tehonkulutus (Max)

20.8W (Tc)
Pakkaus

Cut Tape (CT)
Pakkaus / Case

PowerPAK® 1212-8
Muut nimet

SISA34DN-T1-GE3CT
Käyttölämpötila

-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi

Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL)

1 (Unlimited)
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lead free / RoHS Compliant
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

1100pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 4.5V
FET tyyppi

N-Channel
FET Ominaisuus

-
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Valua lähde jännite (Vdss)

30V
Yksityiskohtainen kuvaus

N-Channel 30V 40A (Tc) 20.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C

40A (Tc)

Seuraava on "SISA34DN-T1-GE3" -tuotteita.

SISA24DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAK1212

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

RFQ

SISC050N10DX1SA1

Kuvaus: MOSFET N-CHAN SAWED WAFER

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)

Varastossa

RFQ

SISA26DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAK1212

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

RFQ

SISA14DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

RFQ

SISB46DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 40V POWERPAK 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

RFQ

SISA18ADN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

RFQ

SISC185N06LX1SA1

Kuvaus: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)

Varastossa

RFQ

SISA10DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 30A 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

RFQ

SISC06DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

RFQ

SISA72DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAK1212

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

RFQ

SISC097N24DX1SA1

Kuvaus: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)

Varastossa

RFQ

SISA96DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 16A POWERPAK1212

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

RFQ

SISA04DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 40A 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

RFQ

SISA18DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

RFQ

SISC262SN06LX1SA1

Kuvaus: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)

Varastossa

RFQ

SISA66DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 40A POWERPAK1212

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

RFQ

SISA16DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V D-S PPAK 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

RFQ

SISA12ADN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 25A 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

RFQ

SISC29N20DX1SA1

Kuvaus: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)

Varastossa

RFQ

SISA01DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 30V POWERPAK 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

RFQ

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Ennakkorekisteröinti

SISA34DN-T1-GE3

Pyydä tarjous

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

On ilmoitettu, että Kioxia saa listalle hyväksynnän 22. ...

Tower Semiconductorin uusin pii -optinen alusta on asetettu...

Teollisuus toipuu hitaasti.Epitaksiaalinen toimittaja IQE h...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Toimittaja: Suuri määrä RTX 50 -sarjan GPU -komponenttej...

Taiwan, Kiinan puolijohdetuottoarvo kasvaa 22%: lla NT:...

LG Display investoi OLED -paneelien tuotantoa lisää milja...

Amazon lisää pyrkimyksiä luoda räätälöityjä AI -sir...

Pegatronin Q3 -nettotulos oli NT 4,296 miljardia dollaria, ...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Etelä -Korea aikoo antaa sirulain torjumaan Trumpin uhkaa

SISA24DN-T1-GE3

SISC050N10DX1SA1

SISA26DN-T1-GE3

SISA14DN-T1-GE3

SISB46DN-T1-GE3

SISA18ADN-T1-GE3

SISC185N06LX1SA1

SISA10DN-T1-GE3

SISC06DN-T1-GE3

SISA72DN-T1-GE3

SISC097N24DX1SA1

SISA96DN-T1-GE3

SISA04DN-T1-GE3

SISA18DN-T1-GE3

SISC262SN06LX1SA1

SISA66DN-T1-GE3

SISA16DN-T1-GE3

SISA12ADN-T1-GE3

SISC29N20DX1SA1

SISA01DN-T1-GE3

Valitse kieli

Nykyinen kieli