Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrayit > SISF00DN-T1-GE3
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
702680SISF00DN-T1-GE3-kuvaElectro-Films (EFI) / Vishay

SISF00DN-T1-GE3

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa
3000+
$0.685
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    SISF00DN-T1-GE3
  • Valmistaja / merkki
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAK 12
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    SISF00DN-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.1V @ 250µA
  • Toimittaja Device Package
    PowerPAK® 1212-8SCD
  • Sarja
    TrenchFET® Gen IV
  • RDS (Max) @ Id, Vgs
    5 mOhm @ 10A, 10V
  • Virta - Max
    69.4W (Tc)
  • Pakkaus
    Tape & Reel (TR)
  • Pakkaus / Case
    PowerPAK® 1212-8SCD
  • Muut nimet
    SISF00DN-T1-GE3TR
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Asennustyyppi
    Surface Mount
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
    2700pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    53nC @ 10V
  • FET tyyppi
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
  • FET Ominaisuus
    Standard
  • Valua lähde jännite (Vdss)
    30V
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 30V 60A (Tc) 69.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SCD
  • Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
    60A (Tc)

On ilmoitettu, että Kioxia saa listalle hyväksynnän 22. ...

21.11.2024

Tower Semiconductorin uusin pii -optinen alusta on asetettu...

20.11.2024

Teollisuus toipuu hitaasti.Epitaksiaalinen toimittaja IQE h...

19.11.2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19.11.2024

The core value and future development trend of passive comp...

18.11.2024

Toimittaja: Suuri määrä RTX 50 -sarjan GPU -komponenttej...

18.11.2024

Taiwan, Kiinan puolijohdetuottoarvo kasvaa 22%: lla NT:...

17.11.2024

LG Display investoi OLED -paneelien tuotantoa lisää milja...

15.11.2024

Amazon lisää pyrkimyksiä luoda räätälöityjä AI -sir...

14.11.2024

Pegatronin Q3 -nettotulos oli NT 4,296 miljardia dollaria, ...

13.11.2024

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

13.11.2024

Etelä -Korea aikoo antaa sirulain torjumaan Trumpin uhkaa

13.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "SISF00DN-T1-GE3" -tuotteita.
SISNAP915EK

SISNAP915EK

Kuvaus: RF EVAL 915MHZ MODULE ANTENNA

valmistajat: Energy Micro (Silicon Labs)
Varastossa
RFQ
SISA72DN-T1-GE3

SISA72DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAK1212

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SISH434DN-T1-GE3

SISH434DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CHAN 40V PPAK 1212-8SH

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SISS04DN-T1-GE3

SISS04DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK 1212-

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SISC097N24DX1SA1

SISC097N24DX1SA1

Kuvaus: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
SISB46DN-T1-GE3

SISB46DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 40V POWERPAK 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SISH402DN-T1-GE3

SISH402DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK 1212-

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SISNAP915DK

SISNAP915DK

Kuvaus: RF EVAL 915MHZ SYNAPSE DEV KIT

valmistajat: Energy Micro (Silicon Labs)
Varastossa
RFQ
SISC262SN06LX1SA1

SISC262SN06LX1SA1

Kuvaus: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
SISC050N10DX1SA1

SISC050N10DX1SA1

Kuvaus: MOSFET N-CHAN SAWED WAFER

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
SISC29N20DX1SA1

SISC29N20DX1SA1

Kuvaus: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
SISH106DN-T1-GE3

SISH106DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SISC185N06LX1SA1

SISC185N06LX1SA1

Kuvaus: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
SISH617DN-T1-GE3

SISH617DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SISH129DN-T1-GE3

SISH129DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SISC06DN-T1-GE3

SISC06DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SISA96DN-T1-GE3

SISA96DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 16A POWERPAK1212

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SISS02DN-T1-GE3

SISS02DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SISC624P06X3MA1

SISC624P06X3MA1

Kuvaus: SMALL SIGNAL+P-CH

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
SISH410DN-T1-GE3

SISH410DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.