Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > SISS98DN-T1-GE3
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
2402826SISS98DN-T1-GE3-kuvaElectro-Films (EFI) / Vishay

SISS98DN-T1-GE3

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa
1+
$1.29
10+
$1.14
100+
$0.901
500+
$0.699
1000+
$0.552
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    SISS98DN-T1-GE3
  • Valmistaja / merkki
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    MOSFET N-CH 200V 14.1A 1212-8
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    SISS98DN-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • teknologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Toimittaja Device Package
    PowerPAK® 1212-8
  • Sarja
    ThunderFET®
  • RDS (Max) @ Id, Vgs
    105 mOhm @ 7A, 10V
  • Tehonkulutus (Max)
    57W (Tc)
  • Pakkaus
    Original-Reel®
  • Pakkaus / Case
    PowerPAK® 1212-8
  • Muut nimet
    SISS98DN-T1-GE3DKR
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Asennustyyppi
    Surface Mount
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
    608pF @ 100V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    14nC @ 7.5V
  • FET tyyppi
    N-Channel
  • FET Ominaisuus
    -
  • Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
    7.5V, 10V
  • Valua lähde jännite (Vdss)
    200V
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    N-Channel 200V 14.1A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
  • Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
    14.1A (Tc)

Intel saa 7,86 miljardia dollaria tukia Yhdysvaltain sirula...

27.11.2024

AMD käynnistää Bangaloren suunnittelukeskuksen toisen va...

26.11.2024

NVIDIA RTX 5090 -näytönohjaimen GPU -pinta -ala on 744 mm...

25.11.2024

Antropia saa vielä 4 miljardin dollarin sijoituksen Amazon...

23.11.2024

Puoli: IC -myynnin nousu 12%: lla kolmannella vuosinelj...

22.11.2024

On ilmoitettu, että Kioxia saa listalle hyväksynnän 22. ...

21.11.2024

Tower Semiconductorin uusin pii -optinen alusta on asetettu...

20.11.2024

Teollisuus toipuu hitaasti.Epitaksiaalinen toimittaja IQE h...

19.11.2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19.11.2024

The core value and future development trend of passive comp...

18.11.2024

Toimittaja: Suuri määrä RTX 50 -sarjan GPU -komponenttej...

18.11.2024

Taiwan, Kiinan puolijohdetuottoarvo kasvaa 22%: lla NT:...

17.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "SISS98DN-T1-GE3" -tuotteita.
SISNAP915EK

SISNAP915EK

Kuvaus: RF EVAL 915MHZ MODULE ANTENNA

valmistajat: Energy Micro (Silicon Labs)
Varastossa
RFQ
SISS27DN-T1-GE3

SISS27DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SISS72DN-T1-GE3

SISS72DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 150V

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SISS02DN-T1-GE3

SISS02DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SISS23DN-T1-GE3

SISS23DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SISS26DN-T1-GE3

SISS26DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CHANNEL 60V 60A 1212-8S

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SISS42DN-T1-GE3

SISS42DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK 1212

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SISS10DN-T1-GE3

SISS10DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SISS04DN-T1-GE3

SISS04DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK 1212-

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SISS65DN-T1-GE3

SISS65DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CHAN 30V PPAK 1212-8S

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SISS12DN-T1-GE3

SISS12DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CHAN 40V POWERPAK 1212-

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SISNAP915DK

SISNAP915DK

Kuvaus: RF EVAL 915MHZ SYNAPSE DEV KIT

valmistajat: Energy Micro (Silicon Labs)
Varastossa
RFQ
SISS71DN-T1-GE3

SISS71DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 100V 23A 1212-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SISS70DN-T1-GE3

SISS70DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 125V

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SISS64DN-T1-GE3

SISS64DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CHANNEL 30V 40A 1212-8S

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SISS27ADN-T1-GE3

SISS27ADN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 30V 50A POWERPAK1212

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SISH617DN-T1-GE3

SISH617DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SISS67DN-T1-GE3

SISS67DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SISS40DN-T1-GE3

SISS40DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 36.5A PPAK 1212

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SISS28DN-T1-GE3

SISS28DN-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAK1212

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.