Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > SIUD412ED-T1-GE3
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
1633734SIUD412ED-T1-GE3-kuvaElectro-Films (EFI) / Vishay

SIUD412ED-T1-GE3

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa
1+
$0.46
10+
$0.42
100+
$0.236
500+
$0.126
1000+
$0.086
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    SIUD412ED-T1-GE3
  • Valmistaja / merkki
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    MOSFET N-CH 12V 500MA PWRPAK0806
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    SIUD412ED-T1-GE3.pdf
  • ECAD -malli
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    900mV @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±5V
  • teknologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Toimittaja Device Package
    PowerPAK® 0806
  • Sarja
    TrenchFET®
  • RDS (Max) @ Id, Vgs
    340 mOhm @ 500mA, 4.5V
  • Tehonkulutus (Max)
    1.25W (Ta)
  • Pakkaus
    Original-Reel®
  • Pakkaus / Case
    PowerPAK® 0806
  • Muut nimet
    SIUD412ED-T1-GE3DKR
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Asennustyyppi
    Surface Mount
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
    21pF @ 6V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    0.71nC @ 4.5V
  • FET tyyppi
    N-Channel
  • FET Ominaisuus
    -
  • Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
    1.2V, 4.5V
  • Valua lähde jännite (Vdss)
    12V
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    N-Channel 12V 500mA (Tc) 1.25W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 0806
  • Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
    500mA (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

26.01.2025

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

13.01.2025

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

31.12.2024

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

23.12.2024

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

12.12.2024

Microchip ilmoittaa 500 lomautusta, ja rakenneuudistuskusta...

04.12.2024

Quanta: AI -kysyntä on edelleen vahvaa, tasaisella tilausv...

03.12.2024

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

02.12.2024

Samsung vähentää merkittävästi fotoresistista käyttö...

02.12.2024

Vishay sijoittaa 51 miljoonaa puntaa hankittuun NWF -kiekkoon

29.11.2024

Trumpin tariffirasva, Nvidia, Intel -toimittajat arvioivat ...

28.11.2024

Intel saa 7,86 miljardia dollaria tukia Yhdysvaltain sirula...

27.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "SIUD412ED-T1-GE3" -tuotteita.
IXTK140N20P

IXTK140N20P

Kuvaus: MOSFET N-CH 200V 140A TO-264

valmistajat: IXYS Corporation
Varastossa
RFQ
SI6465DQ-T1-E3

SI6465DQ-T1-E3

Kuvaus: MOSFET P-CH 8V 8.8A 8TSSOP

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
BUK954R4-40B,127

BUK954R4-40B,127

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB

valmistajat: Nexperia
Varastossa
RFQ
AUIRFR8401

AUIRFR8401

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 100A DPAK

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
TSM2308CX RFG

TSM2308CX RFG

Kuvaus: MOSFET N-CHANNEL 60V 3A SOT23

valmistajat: TSC (Taiwan Semiconductor)
Varastossa
RFQ
IPB120N08S404ATMA1

IPB120N08S404ATMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH TO263-3

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
SBSS84LT1G

SBSS84LT1G

Kuvaus: MOSFET P-CH 50V 0.13A SOT-23

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
BUK626R2-40C,118

BUK626R2-40C,118

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 90A DPAK

valmistajat: Nexperia
Varastossa
RFQ
FQI5N40TU

FQI5N40TU

Kuvaus: MOSFET N-CH 400V 4.5A I2PAK

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
FQU1N80TU

FQU1N80TU

Kuvaus: MOSFET N-CH 800V 1A IPAK

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
IXFN180N25T

IXFN180N25T

Kuvaus: MOSFET N-CH 250V 168A SOT-227

valmistajat: IXYS Corporation
Varastossa
RFQ
AON6782

AON6782

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 24A DFN5X6

valmistajat: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Varastossa
RFQ
IPA50R500CE

IPA50R500CE

Kuvaus: MOSFET N-CH 500V 7.6A PG-TO220FP

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
SI2305CDS-T1-GE3

SI2305CDS-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SIUD402ED-T1-GE3

SIUD402ED-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 1A POWERPAK0806

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
BSD816SNH6327XTSA1

BSD816SNH6327XTSA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
FDB20N50F

FDB20N50F

Kuvaus: MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
SIUD403ED-T1-GE3

SIUD403ED-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 20V 500MA PWRPAK0806

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
IXTA220N075T7

IXTA220N075T7

Kuvaus: MOSFET N-CH 75V 220A TO-263-7

valmistajat: IXYS Corporation
Varastossa
RFQ
FDB86360-F085

FDB86360-F085

Kuvaus: MOSFET N-CH 80V 110A TO263

valmistajat: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäUutisetSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.