5141939

SQ2361AEES-T1_GE3

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa

3000+

$0.235

Kysely verkossa

tekniset tiedot

Osa numero

SQ2361AEES-T1_GE3
Valmistaja / merkki

Electro-Films (EFI) / Vishay
Varaston määrä

Varastossa
Kuvaus

MOSFET P-CH 60V 2.5A SSOT23
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
lomakkeissa

SQ2361AEES-T1_GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
teknologia

MOSFET (Metal Oxide)
Sarja

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs

170 mOhm @ 2.4A, 10V
Tehonkulutus (Max)

2W (Tc)
Pakkaus

Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Muut nimet

SQ2361AEES-T1-GE3
SQ2361AEES-T1_GE3-ND
SQ2361AEES-T1_GE3TR
Käyttölämpötila

-55°C ~ 175°C (TA)
Asennustyyppi

Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL)

1 (Unlimited)
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lead free / RoHS Compliant
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

620pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V
FET tyyppi

P-Channel
FET Ominaisuus

-
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Valua lähde jännite (Vdss)

60V
Yksityiskohtainen kuvaus

P-Channel 60V 2.8A (Tc) 2W (Tc) Surface Mount
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C

2.8A (Tc)

Seuraava on "SQ2361AEES-T1_GE3" -tuotteita.

SQ2319ES-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 40V 4.6A TO-236

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

RFQ

SQ2360EES-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 4.4A TO236

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

RFQ

SQ2355

Kuvaus: BIT POWER SQUARE #2 3.5"

valmistajat: Klein Tools

Varastossa

RFQ

SQ2364EES-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET N-CHAN 60V SOT-23

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

RFQ

SQ2319ADS-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

RFQ

SQ2351ES-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET P-CHAN 20V SOT23

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

RFQ

SQ2403PG36RSM

Kuvaus: RF ANT 2.4GHZ PANEL CAB CHAS MT

valmistajat: Laird Technologies - Antennas

Varastossa

RFQ

SQ2325ES-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 150V 840MA TO236

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

RFQ

SQ2318AES-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET N-CHAN 40V SOT23

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

RFQ

SQ2337ES-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET P-CHAN 80V SOT23

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

RFQ

SQ2348ES-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 8A SOT-23

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

RFQ

SQ2361EES-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT23

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

RFQ

SQ2403PG12RTN

Kuvaus: RF ANT 2.4GHZ PANEL CAB CHAS MT

valmistajat: Laird Technologies - Antennas

Varastossa

RFQ

SQ2362ES-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 4.4A TO236

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

RFQ

SQ2403PFTNF

Kuvaus: ANT OMNI SQUINT PNL RP TNC FEM

valmistajat: Laird Technologies - Antennas

Varastossa

RFQ

SQ2398ES-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

RFQ

SQ2361ES-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 60V 2.5A SSOT23

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

RFQ

SQ2403PG12NF

Kuvaus: RF ANT 2.4GHZ PANEL CAB CHAS MT

valmistajat: Laird Technologies - Antennas

Varastossa

RFQ

SQ2315ES-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET P-CHAN 12V SOT23

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

RFQ

SQ2389ES-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET P-CHAN 40V SO23

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

RFQ

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Ennakkorekisteröinti

SQ2361AEES-T1_GE3

Pyydä tarjous

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Intel saa 7,86 miljardia dollaria tukia Yhdysvaltain sirula...

AMD käynnistää Bangaloren suunnittelukeskuksen toisen va...

NVIDIA RTX 5090 -näytönohjaimen GPU -pinta -ala on 744 mm...

Antropia saa vielä 4 miljardin dollarin sijoituksen Amazon...

Puoli: IC -myynnin nousu 12%: lla kolmannella vuosinelj...

On ilmoitettu, että Kioxia saa listalle hyväksynnän 22. ...

Tower Semiconductorin uusin pii -optinen alusta on asetettu...

Teollisuus toipuu hitaasti.Epitaksiaalinen toimittaja IQE h...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Toimittaja: Suuri määrä RTX 50 -sarjan GPU -komponenttej...

Taiwan, Kiinan puolijohdetuottoarvo kasvaa 22%: lla NT:...

SQ2319ES-T1-GE3

SQ2360EES-T1-GE3

SQ2355

SQ2364EES-T1_GE3

SQ2319ADS-T1_GE3

SQ2351ES-T1_GE3

SQ2403PG36RSM

SQ2325ES-T1_GE3

SQ2318AES-T1_GE3

SQ2337ES-T1_GE3

SQ2348ES-T1_GE3

SQ2361EES-T1-GE3

SQ2403PG12RTN

SQ2362ES-T1_GE3

SQ2403PFTNF

SQ2398ES-T1_GE3

SQ2361ES-T1_GE3

SQ2403PG12NF

SQ2315ES-T1_GE3

SQ2389ES-T1_GE3

Valitse kieli

Nykyinen kieli