Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > SQD40P10-40L_GE3
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
3089823SQD40P10-40L_GE3-kuvaElectro-Films (EFI) / Vishay

SQD40P10-40L_GE3

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa
2000+
$1.258
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    SQD40P10-40L_GE3
  • Valmistaja / merkki
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    MOSFET P-CHAN 100V TO252
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    SQD40P10-40L_GE3.pdf
  • ECAD -malli
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • teknologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Toimittaja Device Package
    TO-252
  • Sarja
    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • RDS (Max) @ Id, Vgs
    40 mOhm @ 8.2A, 10V
  • Tehonkulutus (Max)
    136W (Tc)
  • Pakkaus
    Tape & Reel (TR)
  • Pakkaus / Case
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Muut nimet
    SQD40P10-40L_GE3TR
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Asennustyyppi
    Surface Mount
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
    5540pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    144nC @ 10V
  • FET tyyppi
    P-Channel
  • FET Ominaisuus
    -
  • Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Valua lähde jännite (Vdss)
    100V
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    P-Channel 100V 38A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount TO-252
  • Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
    38A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

26.01.2025

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

13.01.2025

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

31.12.2024

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

23.12.2024

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

12.12.2024

Microchip ilmoittaa 500 lomautusta, ja rakenneuudistuskusta...

04.12.2024

Quanta: AI -kysyntä on edelleen vahvaa, tasaisella tilausv...

03.12.2024

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

02.12.2024

Samsung vähentää merkittävästi fotoresistista käyttö...

02.12.2024

Vishay sijoittaa 51 miljoonaa puntaa hankittuun NWF -kiekkoon

29.11.2024

Trumpin tariffirasva, Nvidia, Intel -toimittajat arvioivat ...

28.11.2024

Intel saa 7,86 miljardia dollaria tukia Yhdysvaltain sirula...

27.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "SQD40P10-40L_GE3" -tuotteita.
SQD50N04-5M6_T4GE3

SQD50N04-5M6_T4GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SQD40030E_GE3

SQD40030E_GE3

Kuvaus: MOSFET N-CHANNEL 40V TO252AA

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SQD50N10-8M9L_GE3

SQD50N10-8M9L_GE3

Kuvaus: MOSFET N-CHAN 100V TO252

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SQD50N04-4M5L_GE3

SQD50N04-4M5L_GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SQD40131EL_GE3

SQD40131EL_GE3

Kuvaus: MOSFET P-CHAN 40V D-S TO-252

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SQD45P03-12_GE3

SQD45P03-12_GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 30V 50A TO252

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SQD30N05-20L_GE3

SQD30N05-20L_GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 55V 30A TO252

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SQD40N10-25_GE3

SQD40N10-25_GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 40A TO252

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SQD50N04-5M6L_GE3

SQD50N04-5M6L_GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SQD50N05-11L_GE3

SQD50N05-11L_GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 50V 50A TO252

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SQD50N06-09L_GE3

SQD50N06-09L_GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 50A

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SQD50N04-09H-GE3

SQD50N04-09H-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 50A TO252

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SQD40N06-25L-GE3

SQD40N06-25L-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 30A TO252

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SQD40031EL_GE3

SQD40031EL_GE3

Kuvaus: MOSFET P-CHAN 30V

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SQD50N04-5M6_GE3

SQD50N04-5M6_GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 50A TO-252

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SQD40N06-14L_GE3

SQD40N06-14L_GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 40A

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SQD35N05-26L-GE3

SQD35N05-26L-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 55V 30A TO252

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SQD45N05-20L-GE3

SQD45N05-20L-GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 50V 50A TO252

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SQD40061EL_GE3

SQD40061EL_GE3

Kuvaus: MOSFET P-CHAN 40V

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SQD40081EL_GE3

SQD40081EL_GE3

Kuvaus: MOSFET P-CHAN 40V TO252

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäUutisetSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.