Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

*Yrityksen nimi
*Nimi
*Otsikko

*Sähköpostiosoite
*Puhelinnumero

*Maa
*Kontaktiikkuna
*Tapahtumapäivä

*Viesti

Vierailijoille Electronica 2024

Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.

Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > SQJ412EP-T1_GE3

RFQs/tilaus (0)

Suomi

Suomi

2730736

SQJ412EP-T1_GE3-kuva

Electro-Films (EFI) / Vishay

SQJ412EP-T1_GE3

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa

1+

$2.63

10+

$2.373

100+

$1.907

500+

$1.483

1000+

$1.229

Kysely verkossa

tekniset tiedot

Osa numero

SQJ412EP-T1_GE3
Valmistaja / merkki

Electro-Films (EFI) / Vishay
Varaston määrä

Varastossa
Kuvaus

MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
lomakkeissa

SQJ412EP-T1_GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
teknologia

MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package

PowerPAK® SO-8
Sarja

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
RDS (Max) @ Id, Vgs

4.1 mOhm @ 10.3A, 10V
Tehonkulutus (Max)

83W (Tc)
Pakkaus

Cut Tape (CT)
Pakkaus / Case

PowerPAK® SO-8
Muut nimet

SQJ412EP-T1-GE3CT
SQJ412EP-T1-GE3CT-ND
SQJ412EP-T1_GE3CT
Käyttölämpötila

-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi

Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL)

1 (Unlimited)
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lead free / RoHS Compliant
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

5950pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

120nC @ 10V
FET tyyppi

N-Channel
FET Ominaisuus

-
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Valua lähde jännite (Vdss)

40V
Yksityiskohtainen kuvaus

N-Channel 40V 32A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C

32A (Tc)

Liittyvät uutiset
laivaus
maksu

Intel saa 7,86 miljardia dollaria tukia Yhdysvaltain sirula...

AMD käynnistää Bangaloren suunnittelukeskuksen toisen va...

NVIDIA RTX 5090 -näytönohjaimen GPU -pinta -ala on 744 mm...

Antropia saa vielä 4 miljardin dollarin sijoituksen Amazon...

Puoli: IC -myynnin nousu 12%: lla kolmannella vuosinelj...

On ilmoitettu, että Kioxia saa listalle hyväksynnän 22. ...

Tower Semiconductorin uusin pii -optinen alusta on asetettu...

Teollisuus toipuu hitaasti.Epitaksiaalinen toimittaja IQE h...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Toimittaja: Suuri määrä RTX 50 -sarjan GPU -komponenttej...

Taiwan, Kiinan puolijohdetuottoarvo kasvaa 22%: lla NT:...

laivaus

Maksu

Seuraava on "SQJ412EP-T1_GE3" -tuotteita.

SQJ431AEP-T1_GE3

SQJ431AEP-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET P-CHAN 200V

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SQJ407EP-T1_GE3

SQJ407EP-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 30V 60A POWERPAKSO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SQJ423EP-T1_GE3

SQJ423EP-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 40V 55A POWERPAKSO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SQJ422EP-T1_GE3

SQJ422EP-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SQJ402EP-T1_GE3

SQJ402EP-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V POWERPAK SO8L

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SQJ409EP-T1_GE3

SQJ409EP-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 40V 60A POWERPAKSO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SQJ260EP-T1_GE3

SQJ260EP-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SQJ431EP-T1_GE3

SQJ431EP-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET P-CHAN 200V SO8L

valmistajat: Vishay Siliconix

Varastossa

SQJ403EP-T1_GE3

SQJ403EP-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 30V 30A POWERPAKSO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SQJ416EP-T1_GE3

SQJ416EP-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 27A POWERPAKSO

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SQJ401EP-T1_GE3

SQJ401EP-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 12V 32A POWERPAKSO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SQJ403BEEP-T1_GE3

SQJ403BEEP-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 30V 30A POWERPAKSO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SQJ433EP-T1_GE3

SQJ433EP-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 30V 75A POWERPAKSO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SQJ262EP-T1_GE3

SQJ262EP-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SQJ418EP-T1_GE3

SQJ418EP-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 48A POWERPAKSO

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SQJ420EP-T1_GE3

SQJ420EP-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 30A POWERPAKSOL

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SQJ415EP-T1_GE3

SQJ415EP-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET P-CHAN 40V POWERPAK SO-8L

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SQJ414EP-T1_GE3

SQJ414EP-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 30A POWERPAKSOL

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SQJ411EP-T1_GE3

SQJ411EP-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 12V 60A POWERPAKSO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

SQJ410EP-T1_GE3

SQJ410EP-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 32A POWERPAKSO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay

Varastossa

Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.

Seuraa meitä

käyttöehdot Rikkomuspolitiikka Pyydä tarjous Meistä Ota meihin yhteyttä Sivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.