Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > SQJ456EP-T1_GE3
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
5828562SQJ456EP-T1_GE3-kuvaElectro-Films (EFI) / Vishay

SQJ456EP-T1_GE3

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa
1+
$5.64
10+
$5.034
100+
$4.128
500+
$3.343
1000+
$2.819
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    SQJ456EP-T1_GE3
  • Valmistaja / merkki
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    SQJ456EP-T1_GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • teknologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Toimittaja Device Package
    PowerPAK® SO-8
  • Sarja
    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • RDS (Max) @ Id, Vgs
    26 mOhm @ 9.3A, 10V
  • Tehonkulutus (Max)
    83W (Tc)
  • Pakkaus
    Cut Tape (CT)
  • Pakkaus / Case
    PowerPAK® SO-8
  • Muut nimet
    SQJ456EP-T1_GE3CT
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Asennustyyppi
    Surface Mount
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
    3342pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    63nC @ 10V
  • FET tyyppi
    N-Channel
  • FET Ominaisuus
    -
  • Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Valua lähde jännite (Vdss)
    100V
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    N-Channel 100V 32A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
    32A (Tc)

On ilmoitettu, että Kioxia saa listalle hyväksynnän 22. ...

21.11.2024

Tower Semiconductorin uusin pii -optinen alusta on asetettu...

20.11.2024

Teollisuus toipuu hitaasti.Epitaksiaalinen toimittaja IQE h...

19.11.2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19.11.2024

The core value and future development trend of passive comp...

18.11.2024

Toimittaja: Suuri määrä RTX 50 -sarjan GPU -komponenttej...

18.11.2024

Taiwan, Kiinan puolijohdetuottoarvo kasvaa 22%: lla NT:...

17.11.2024

LG Display investoi OLED -paneelien tuotantoa lisää milja...

15.11.2024

Amazon lisää pyrkimyksiä luoda räätälöityjä AI -sir...

14.11.2024

Pegatronin Q3 -nettotulos oli NT 4,296 miljardia dollaria, ...

13.11.2024

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

13.11.2024

Etelä -Korea aikoo antaa sirulain torjumaan Trumpin uhkaa

13.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "SQJ456EP-T1_GE3" -tuotteita.
SQJ431EP-T1_GE3

SQJ431EP-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET P-CHAN 200V SO8L

valmistajat: Vishay Siliconix
Varastossa
RFQ
SQJ461EP-T1_GE3

SQJ461EP-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 60V 30A

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SQJ474EP-T1_GE3

SQJ474EP-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 26A POWERPAKSO

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SQJ423EP-T1_GE3

SQJ423EP-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 40V 55A POWERPAKSO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SQJ460AEP-T1_GE3

SQJ460AEP-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SQJ443EP-T1_GE3

SQJ443EP-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 40V 40A POWERPAKSO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SQJ454EP-T1_GE3

SQJ454EP-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 200V 13A POWERPAKSO

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SQJ457EP-T1_GE3

SQJ457EP-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 60V 36A POWERPAKSO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SQJ465EP-T1_GE3

SQJ465EP-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 60V 8A POWERPAKSO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SQJ476EP-T1_GE3

SQJ476EP-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 23A POWERPAKSO

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SQJ469EP-T1_GE3

SQJ469EP-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SQJ459EP-T1_GE3

SQJ459EP-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 60V 52A POWERPAKSO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SQJ433EP-T1_GE3

SQJ433EP-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 30V 75A POWERPAKSO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SQJ431AEP-T1_GE3

SQJ431AEP-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET P-CHAN 200V

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SQJ420EP-T1_GE3

SQJ420EP-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 30A POWERPAKSOL

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SQJ464EP-T1_GE3

SQJ464EP-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 32A POWERPAKSO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SQJ463EP-T1_GE3

SQJ463EP-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET P-CH 40V 30A

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SQJ446EP-T1_GE3

SQJ446EP-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SQJ422EP-T1_GE3

SQJ422EP-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SQJ444EP-T1_GE3

SQJ444EP-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.