Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrayit > SQJ951EP-T1_GE3
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
2688822SQJ951EP-T1_GE3-kuvaElectro-Films (EFI) / Vishay

SQJ951EP-T1_GE3

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa
3000+
$0.618
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    SQJ951EP-T1_GE3
  • Valmistaja / merkki
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    MOSFET 2P-CH 30V 30A PPAK
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    SQJ951EP-T1_GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Toimittaja Device Package
    PowerPAK® SO-8 Dual
  • Sarja
    Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
  • RDS (Max) @ Id, Vgs
    17 mOhm @ 7.5A, 10V
  • Virta - Max
    56W
  • Pakkaus
    Tape & Reel (TR)
  • Pakkaus / Case
    PowerPAK® SO-8 Dual
  • Muut nimet
    SQJ951EP-T1-GE3
    SQJ951EP-T1-GE3-ND
    SQJ951EP-T1_GE3-ND
    SQJ951EP-T1_GE3TR
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Asennustyyppi
    Surface Mount
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
    1680pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    50nC @ 10V
  • FET tyyppi
    2 P-Channel (Dual)
  • FET Ominaisuus
    Standard
  • Valua lähde jännite (Vdss)
    30V
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 30A 56W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
  • Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
    30A

On ilmoitettu, että Kioxia saa listalle hyväksynnän 22. ...

21.11.2024

Tower Semiconductorin uusin pii -optinen alusta on asetettu...

20.11.2024

Teollisuus toipuu hitaasti.Epitaksiaalinen toimittaja IQE h...

19.11.2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19.11.2024

The core value and future development trend of passive comp...

18.11.2024

Toimittaja: Suuri määrä RTX 50 -sarjan GPU -komponenttej...

18.11.2024

Taiwan, Kiinan puolijohdetuottoarvo kasvaa 22%: lla NT:...

17.11.2024

LG Display investoi OLED -paneelien tuotantoa lisää milja...

15.11.2024

Amazon lisää pyrkimyksiä luoda räätälöityjä AI -sir...

14.11.2024

Pegatronin Q3 -nettotulos oli NT 4,296 miljardia dollaria, ...

13.11.2024

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

13.11.2024

Etelä -Korea aikoo antaa sirulain torjumaan Trumpin uhkaa

13.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "SQJ951EP-T1_GE3" -tuotteita.
SQJ914EP-T1_GE3

SQJ914EP-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SQJ941EP-T1-GE3

SQJ941EP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET 2P-CH 30V 8A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SQJ956EP-T1_GE3

SQJ956EP-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SQJ980AEP-T1_GE3

SQJ980AEP-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET 2 N-CH 75V POWERPAK SO8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SQJ974EP-T1_GE3

SQJ974EP-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SQJ886EP-T1_GE3

SQJ886EP-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SQJ958EP-T1_GE3

SQJ958EP-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SQJ912AEP-T1_GE3

SQJ912AEP-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SQJ960EP-T1_GE3

SQJ960EP-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 60V 8A

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SQJ946EP-T1_GE3

SQJ946EP-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SQJ940EP-T1_GE3

SQJ940EP-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 40V 15A PPAK SO-8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SQJ952EP-T1_GE3

SQJ952EP-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SQJ968EP-T1_GE3

SQJ968EP-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SQJ962EP-T1-GE3

SQJ962EP-T1-GE3

Kuvaus: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SQJ912BEP-T1_GE3

SQJ912BEP-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET N-CH DUAL 40V PPSO-8L

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SQJ963EP-T1_GE3

SQJ963EP-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET 2 P-CH 60V POWERPAK SO8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SQJ942EP-T1_GE3

SQJ942EP-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SQJ872EP-T1_GE3

SQJ872EP-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET N-CHAN 150V

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SQJ990EP-T1_GE3

SQJ990EP-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
SQJ910AEP-T1_GE3

SQJ910AEP-T1_GE3

Kuvaus: MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.