Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > GA03JT12-247
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
797996GA03JT12-247-kuvaGeneSiC Semiconductor

GA03JT12-247

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    GA03JT12-247
  • Valmistaja / merkki
    GeneSiC Semiconductor
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    TRANS SJT 1200V 3A TO-247AB
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    GA03JT12-247.pdf
  • ECAD -malli
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    -
  • Vgs (Max)
    -
  • teknologia
    SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Toimittaja Device Package
    TO-247AB
  • Sarja
    -
  • RDS (Max) @ Id, Vgs
    460 mOhm @ 3A
  • Tehonkulutus (Max)
    15W (Tc)
  • Pakkaus
    Tube
  • Pakkaus / Case
    TO-247-3
  • Muut nimet
    1242-1164
    GA03JT12247
  • Käyttölämpötila
    175°C (TJ)
  • Asennustyyppi
    Through Hole
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • FET tyyppi
    -
  • FET Ominaisuus
    -
  • Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
    -
  • Valua lähde jännite (Vdss)
    1200V
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    1200V 3A (Tc) (95°C) 15W (Tc) Through Hole TO-247AB
  • Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
    3A (Tc) (95°C)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

26.01.2025

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

13.01.2025

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

31.12.2024

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

23.12.2024

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

12.12.2024

Microchip ilmoittaa 500 lomautusta, ja rakenneuudistuskusta...

04.12.2024

Quanta: AI -kysyntä on edelleen vahvaa, tasaisella tilausv...

03.12.2024

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

02.12.2024

Samsung vähentää merkittävästi fotoresistista käyttö...

02.12.2024

Vishay sijoittaa 51 miljoonaa puntaa hankittuun NWF -kiekkoon

29.11.2024

Trumpin tariffirasva, Nvidia, Intel -toimittajat arvioivat ...

28.11.2024

Intel saa 7,86 miljardia dollaria tukia Yhdysvaltain sirula...

27.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "GA03JT12-247" -tuotteita.
GA0402A100JXBAC31G

GA0402A100JXBAC31G

Kuvaus: CAP CER 10PF 100V C0G/NP0 0402

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
GA01PNS150-220

GA01PNS150-220

Kuvaus: DIODE SILICON CARBIDE 15KV 1A

valmistajat: GeneSiC Semiconductor
Varastossa
RFQ
GA0402A100GXAAC31G

GA0402A100GXAAC31G

Kuvaus: CAP CER 10PF 50V C0G/NP0 0402

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
GA0402A100GXXAC31G

GA0402A100GXXAC31G

Kuvaus: CAP CER 10PF 25V C0G/NP0 0402

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
GA0402A100JXAAP31G

GA0402A100JXAAP31G

Kuvaus: CAP CER 10PF 50V C0G/NP0 0402

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
GA0402A100JXXAC31G

GA0402A100JXXAC31G

Kuvaus: CAP CER 10PF 25V C0G/NP0 0402

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
GA03IDDJT30-FR4

GA03IDDJT30-FR4

Kuvaus: BOARD GATE DRIVER

valmistajat: GeneSiC Semiconductor
Varastossa
RFQ
GA0402A100FXBAP31G

GA0402A100FXBAP31G

Kuvaus: CAP CER 10PF 100V C0G/NP0 0402

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
GA0402A100KXAAC31G

GA0402A100KXAAC31G

Kuvaus: CAP CER 10PF 50V C0G/NP0 0402

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
GA0402A100JXXAP31G

GA0402A100JXXAP31G

Kuvaus: CAP CER 10PF 25V C0G/NP0 0402

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
GA0402A100FXAAP31G

GA0402A100FXAAP31G

Kuvaus: CAP CER 10PF 50V C0G/NP0 0402

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
GA0402A100FXXAP31G

GA0402A100FXXAP31G

Kuvaus: CAP CER 10PF 25V C0G/NP0 0402

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
GA0402A100JXBAP31G

GA0402A100JXBAP31G

Kuvaus: CAP CER 10PF 100V C0G/NP0 0402

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
GA01PNS80-220

GA01PNS80-220

Kuvaus: DIODE SILICON CARBIDE 8KV

valmistajat: GeneSiC Semiconductor
Varastossa
RFQ
GA0381M

GA0381M

Kuvaus: SPEAKER 8OHM 200MW TOP PORT 79DB

valmistajat: CUI, Inc.
Varastossa
RFQ
GA0402A100GXAAP31G

GA0402A100GXAAP31G

Kuvaus: CAP CER 10PF 50V C0G/NP0 0402

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
GA0402A100GXBAP31G

GA0402A100GXBAP31G

Kuvaus: CAP CER 10PF 100V C0G/NP0 0402

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
GA0402A100GXXAP31G

GA0402A100GXXAP31G

Kuvaus: CAP CER 10PF 25V C0G/NP0 0402

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
GA0402A100GXBAC31G

GA0402A100GXBAC31G

Kuvaus: CAP CER 10PF 100V C0G/NP0 0402

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
GA0402A100JXAAC31G

GA0402A100JXAAC31G

Kuvaus: CAP CER 10PF 50V C0G/NP0 0402

valmistajat: Electro-Films (EFI) / Vishay
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäUutisetSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.