Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > GP1M003A040CG
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
5241130

GP1M003A040CG

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    GP1M003A040CG
  • Valmistaja / merkki
    SemiQ
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    MOSFET N-CH 400V 2A DPAK
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    GP1M003A040CG.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • teknologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Toimittaja Device Package
    D-Pak
  • Sarja
    -
  • RDS (Max) @ Id, Vgs
    3.4 Ohm @ 1A, 10V
  • Tehonkulutus (Max)
    30W (Tc)
  • Pakkaus
    Tape & Reel (TR)
  • Pakkaus / Case
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Asennustyyppi
    Surface Mount
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
    210pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    3.7nC @ 10V
  • FET tyyppi
    N-Channel
  • FET Ominaisuus
    -
  • Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Valua lähde jännite (Vdss)
    400V
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    N-Channel 400V 2A (Tc) 30W (Tc) Surface Mount D-Pak
  • Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
    2A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

13.01.2025

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

31.12.2024

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

23.12.2024

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

12.12.2024

Microchip ilmoittaa 500 lomautusta, ja rakenneuudistuskusta...

04.12.2024

Quanta: AI -kysyntä on edelleen vahvaa, tasaisella tilausv...

03.12.2024

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

02.12.2024

Samsung vähentää merkittävästi fotoresistista käyttö...

02.12.2024

Vishay sijoittaa 51 miljoonaa puntaa hankittuun NWF -kiekkoon

29.11.2024

Trumpin tariffirasva, Nvidia, Intel -toimittajat arvioivat ...

28.11.2024

Intel saa 7,86 miljardia dollaria tukia Yhdysvaltain sirula...

27.11.2024

AMD käynnistää Bangaloren suunnittelukeskuksen toisen va...

26.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "GP1M003A040CG" -tuotteita.
GP1L52VJ000F

GP1L52VJ000F

Kuvaus: SENSOR OPTO SLOT 3MM DARL THRU

valmistajat: Sharp Microelectronics
Varastossa
RFQ
GP1M003A050HG

GP1M003A050HG

Kuvaus: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220

valmistajat: Global Power Technologies Group
Varastossa
RFQ
GP1FSV51TKVF

GP1FSV51TKVF

Kuvaus: OPTOELECTRONIC COMPONENT

valmistajat: Sharp Microelectronics
Varastossa
RFQ
GP1FSV51TK0F

GP1FSV51TK0F

Kuvaus: OPTOELECTRONIC COMPONENT

valmistajat: Sharp Microelectronics
Varastossa
RFQ
GP1M003A080FH

GP1M003A080FH

Kuvaus: MOSFET N-CH 800V 3A TO220F

valmistajat: Global Power Technologies Group
Varastossa
RFQ
GP1L52V

GP1L52V

Kuvaus: PHOTOINTERRUPTER SLOT 3.0MM PCB

valmistajat: Sharp Microelectronics
Varastossa
RFQ
GP1M003A090C

GP1M003A090C

Kuvaus: MOSFET N-CH 900V 2.5A DPAK

valmistajat: Global Power Technologies Group
Varastossa
RFQ
GP1M003A050CG

GP1M003A050CG

Kuvaus: MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK

valmistajat: Global Power Technologies Group
Varastossa
RFQ
GP1M003A050FG

GP1M003A050FG

Kuvaus: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220F

valmistajat: Global Power Technologies Group
Varastossa
RFQ
GP1M003A050PG

GP1M003A050PG

Kuvaus: MOSFET N-CH 500V 2.5A IPAK

valmistajat: Global Power Technologies Group
Varastossa
RFQ
GP1FSV51TKMF

GP1FSV51TKMF

Kuvaus: OPTOELECTRONIC COMPONENT

valmistajat: Sharp Microelectronics
Varastossa
RFQ
GP1M003A080PH

GP1M003A080PH

Kuvaus: MOSFET N-CH 800V 3A IPAK

valmistajat: Global Power Technologies Group
Varastossa
RFQ
GP1L53V

GP1L53V

Kuvaus: PHOTOINTERRUPTER SLOT 5.0MM PCB

valmistajat: Sharp Microelectronics
Varastossa
RFQ
GP1FSB31TKMF

GP1FSB31TKMF

Kuvaus: OPTOELECTRONIC COMPONENT

valmistajat: Sharp Microelectronics
Varastossa
RFQ
GP1M003A080CH

GP1M003A080CH

Kuvaus: MOSFET N-CH 800V 3A DPAK

valmistajat: Global Power Technologies Group
Varastossa
RFQ
GP1M003A080H

GP1M003A080H

Kuvaus: MOSFET N-CH 800V 3A TO220

valmistajat: Global Power Technologies Group
Varastossa
RFQ
GP1FV51TK0F

GP1FV51TK0F

Kuvaus: TX FIBER OPTIC SQARE W/SHUTTER

valmistajat: Sharp Microelectronics
Varastossa
RFQ
GP1M003A040PG

GP1M003A040PG

Kuvaus: MOSFET N-CH 400V 2A IPAK

valmistajat: Global Power Technologies Group
Varastossa
RFQ
GP1FSV31TK0F

GP1FSV31TK0F

Kuvaus: OPTOELECTRONIC COMPONENT

valmistajat: Sharp Microelectronics
Varastossa
RFQ
GP1L57

GP1L57

Kuvaus: PHOTOINTERRUPTER SLOT 10MM PCB

valmistajat: Sharp Microelectronics
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.