Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

*Yrityksen nimi
*Nimi
*Otsikko

*Sähköpostiosoite
*Puhelinnumero

*Maa
*Kontaktiikkuna
*Tapahtumapäivä

*Viesti

Vierailijoille Electronica 2024

Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.

Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > GP1M005A050FH

RFQs/tilaus (0)

Suomi

Suomi

2602931

GP1M005A050FH-kuva

Global Power Technologies Group

GP1M005A050FH

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Kysely verkossa

tekniset tiedot

Osa numero

GP1M005A050FH
Valmistaja / merkki

SemiQ
Varaston määrä

Varastossa
Kuvaus

MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220F
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
lomakkeissa

GP1M005A050FH.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
teknologia

MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package

TO-220F
Sarja

-
RDS (Max) @ Id, Vgs

1.65 Ohm @ 2.25A, 10V
Tehonkulutus (Max)

32W (Tc)
Pakkaus

Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case

TO-220-3 Full Pack
Käyttölämpötila

-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi

Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL)

1 (Unlimited)
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lead free / RoHS Compliant
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

627pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 10V
FET tyyppi

N-Channel
FET Ominaisuus

-
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Valua lähde jännite (Vdss)

500V
Yksityiskohtainen kuvaus

N-Channel 500V 4.5A (Tc) 32W (Tc) Through Hole TO-220F
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C

4.5A (Tc)

Liittyvät uutiset
laivaus
maksu

Antropia saa vielä 4 miljardin dollarin sijoituksen Amazon...

Puoli: IC -myynnin nousu 12%: lla kolmannella vuosinelj...

On ilmoitettu, että Kioxia saa listalle hyväksynnän 22. ...

Tower Semiconductorin uusin pii -optinen alusta on asetettu...

Teollisuus toipuu hitaasti.Epitaksiaalinen toimittaja IQE h...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Toimittaja: Suuri määrä RTX 50 -sarjan GPU -komponenttej...

Taiwan, Kiinan puolijohdetuottoarvo kasvaa 22%: lla NT:...

LG Display investoi OLED -paneelien tuotantoa lisää milja...

Amazon lisää pyrkimyksiä luoda räätälöityjä AI -sir...

Pegatronin Q3 -nettotulos oli NT 4,296 miljardia dollaria, ...

laivaus

Maksu

Seuraava on "GP1M005A050FH" -tuotteita.

GP1M006A070FH

Kuvaus: MOSFET N-CH 700V 5A TO220F

valmistajat: Global Power Technologies Group

Varastossa

GP1M006A065PH

Kuvaus: MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK

valmistajat: Global Power Technologies Group

Varastossa

GP1M006A065F

Kuvaus: MOSFET N-CH 650V 5.5A TO220F

valmistajat: Global Power Technologies Group

Varastossa

GP1M005A050FSH

Kuvaus: MOSFET N-CH 500V 4A TO220F

valmistajat: Global Power Technologies Group

Varastossa

GP1M005A040PG

Kuvaus: MOSFET N-CH 400V 3.4A IPAK

valmistajat: Global Power Technologies Group

Varastossa

GP1M003A090PH

Kuvaus: MOSFET N-CH 900V 2.5A IPAK

valmistajat: Global Power Technologies Group

Varastossa

GP1M006A065CH

GP1M006A065CH

Kuvaus: MOSFET N-CH 650V 5.5A DPAK

valmistajat: Global Power Technologies Group

Varastossa

GP1M004A090H

Kuvaus: MOSFET N-CH 900V 4A TO220

valmistajat: Global Power Technologies Group

Varastossa

GP1M005A050HS

Kuvaus: MOSFET N-CH 500V 4A TO220

valmistajat: Global Power Technologies Group

Varastossa

GP1M005A050PH

Kuvaus: MOSFET N-CH 500V 4.5A IPAK

valmistajat: Global Power Technologies Group

Varastossa

GP1M005A050CH

GP1M005A050CH

Kuvaus: MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK

valmistajat: Global Power Technologies Group

Varastossa

GP1M006A065FH

Kuvaus: MOSFET N-CH 650V 5.5A TO220F

valmistajat: Global Power Technologies Group

Varastossa

GP1M005A050H

Kuvaus: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220

valmistajat: Global Power Technologies Group

Varastossa

GP1M004A090FH

Kuvaus: MOSFET N-CH 900V 4A TO220F

valmistajat: Global Power Technologies Group

Varastossa

GP1M005A040CG

GP1M005A040CG

Kuvaus: MOSFET N-CH 400V 3.4A DPAK

valmistajat: Global Power Technologies Group

Varastossa

GP1M003A080FH

Kuvaus: MOSFET N-CH 800V 3A TO220F

valmistajat: Global Power Technologies Group

Varastossa

GP1M006A070F

Kuvaus: MOSFET N-CH 700V 5A TO220F

valmistajat: Global Power Technologies Group

Varastossa

GP1M003A080H

Kuvaus: MOSFET N-CH 800V 3A TO220

valmistajat: Global Power Technologies Group

Varastossa

GP1M003A090C

GP1M003A090C

Kuvaus: MOSFET N-CH 900V 2.5A DPAK

valmistajat: Global Power Technologies Group

Varastossa

GP1M003A080PH

Kuvaus: MOSFET N-CH 800V 3A IPAK

valmistajat: Global Power Technologies Group

Varastossa

Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.

Seuraa meitä

käyttöehdot Rikkomuspolitiikka Pyydä tarjous Meistä Ota meihin yhteyttä Sivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.