Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

*Yrityksen nimi
*Nimi
*Otsikko

*Sähköpostiosoite
*Puhelinnumero

*Maa
*Kontaktiikkuna
*Tapahtumapäivä

*Viesti

Vierailijoille Electronica 2024

Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.

Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > GP1M008A025PG

RFQs/tilaus (0)

Suomi

Suomi

708624

GP1M008A025PG-kuva

Global Power Technologies Group

GP1M008A025PG

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Kysely verkossa

tekniset tiedot

Osa numero

GP1M008A025PG
Valmistaja / merkki

SemiQ
Varaston määrä

Varastossa
Kuvaus

MOSFET N-CH 250V 8A IPAK
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
lomakkeissa

GP1M008A025PG.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
teknologia

MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package

I-PAK
Sarja

-
RDS (Max) @ Id, Vgs

600 mOhm @ 4A, 10V
Tehonkulutus (Max)

52W (Tc)
Pakkaus

Tube
Pakkaus / Case

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Muut nimet

1560-1166-1
1560-1166-1-ND
1560-1166-5
Käyttölämpötila

-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi

Through Hole
Kosteuden herkkyys (MSL)

1 (Unlimited)
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lead free / RoHS Compliant
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

423pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.4nC @ 10V
FET tyyppi

N-Channel
FET Ominaisuus

-
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Valua lähde jännite (Vdss)

250V
Yksityiskohtainen kuvaus

N-Channel 250V 8A (Tc) 52W (Tc) Through Hole I-PAK
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C

8A (Tc)

Liittyvät uutiset
laivaus
maksu

Intel saa 7,86 miljardia dollaria tukia Yhdysvaltain sirula...

AMD käynnistää Bangaloren suunnittelukeskuksen toisen va...

NVIDIA RTX 5090 -näytönohjaimen GPU -pinta -ala on 744 mm...

Antropia saa vielä 4 miljardin dollarin sijoituksen Amazon...

Puoli: IC -myynnin nousu 12%: lla kolmannella vuosinelj...

On ilmoitettu, että Kioxia saa listalle hyväksynnän 22. ...

Tower Semiconductorin uusin pii -optinen alusta on asetettu...

Teollisuus toipuu hitaasti.Epitaksiaalinen toimittaja IQE h...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Toimittaja: Suuri määrä RTX 50 -sarjan GPU -komponenttej...

Taiwan, Kiinan puolijohdetuottoarvo kasvaa 22%: lla NT:...

laivaus

Maksu

Seuraava on "GP1M008A025PG" -tuotteita.

GP1M006A070FH

Kuvaus: MOSFET N-CH 700V 5A TO220F

valmistajat: Global Power Technologies Group

Varastossa

GP1M008A050FG

Kuvaus: MOSFET N-CH 500V 8A TO220F

valmistajat: Global Power Technologies Group

Varastossa

GP1M009A020CG

GP1M009A020CG

Kuvaus: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK

valmistajat: Global Power Technologies Group

Varastossa

GP1M009A020PG

Kuvaus: MOSFET N-CH 200V 9A IPAK

valmistajat: Global Power Technologies Group

Varastossa

GP1M009A020FG

Kuvaus: MOSFET N-CH 200V 9A TO220F

valmistajat: Global Power Technologies Group

Varastossa

GP1M007A090FH

Kuvaus: MOSFET N-CH 900V 7A TO220F

valmistajat: Global Power Technologies Group

Varastossa

GP1M008A025FG

Kuvaus: MOSFET N-CH 250V 8A TO220F

valmistajat: Global Power Technologies Group

Varastossa

GP1M006A070F

Kuvaus: MOSFET N-CH 700V 5A TO220F

valmistajat: Global Power Technologies Group

Varastossa

GP1M008A025HG

Kuvaus: MOSFET N-CH 250V 8A TO220

valmistajat: Global Power Technologies Group

Varastossa

GP1M006A065FH

Kuvaus: MOSFET N-CH 650V 5.5A TO220F

valmistajat: Global Power Technologies Group

Varastossa

GP1M008A080H

Kuvaus: MOSFET N-CH 800V 8A TO220

valmistajat: Global Power Technologies Group

Varastossa

GP1M009A020HG

Kuvaus: MOSFET N-CH 200V 9A TO220

valmistajat: Global Power Technologies Group

Varastossa

GP1M007A065CG

GP1M007A065CG

Kuvaus: MOSFET N-CH 650V 6.5A DPAK

valmistajat: Global Power Technologies Group

Varastossa

GP1M008A050HG

Kuvaus: MOSFET N-CH 500V 8A TO220

valmistajat: Global Power Technologies Group

Varastossa

GP1M008A050PG

Kuvaus: MOSFET N-CH 500V 8A IPAK

valmistajat: Global Power Technologies Group

Varastossa

GP1M007A090H

Kuvaus: MOSFET N-CH 900V 7A TO220

valmistajat: Global Power Technologies Group

Varastossa

GP1M008A025CG

GP1M008A025CG

Kuvaus: MOSFET N-CH 250V 8A DPAK

valmistajat: Global Power Technologies Group

Varastossa

GP1M008A050CG

GP1M008A050CG

Kuvaus: MOSFET N-CH 500V 8A DPAK

valmistajat: Global Power Technologies Group

Varastossa

GP1M006A065PH

Kuvaus: MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK

valmistajat: Global Power Technologies Group

Varastossa

GP1M008A080FH

Kuvaus: MOSFET N-CH 800V 8A TO220F

valmistajat: Global Power Technologies Group

Varastossa

Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.

Seuraa meitä

käyttöehdot Rikkomuspolitiikka Pyydä tarjous Meistä Ota meihin yhteyttä Sivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.