Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > GP1M009A070F
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
3594751GP1M009A070F-kuvaGlobal Power Technologies Group

GP1M009A070F

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    GP1M009A070F
  • Valmistaja / merkki
    SemiQ
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    MOSFET N-CH 700V 9A TO220F
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    GP1M009A070F.pdf
  • ECAD -malli
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • teknologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Toimittaja Device Package
    TO-220F
  • Sarja
    -
  • RDS (Max) @ Id, Vgs
    1.05 Ohm @ 4.5A, 10V
  • Tehonkulutus (Max)
    52W (Tc)
  • Pakkaus
    Tape & Reel (TR)
  • Pakkaus / Case
    TO-220-3 Full Pack
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Asennustyyppi
    Through Hole
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
    1944pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    30nC @ 10V
  • FET tyyppi
    N-Channel
  • FET Ominaisuus
    -
  • Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Valua lähde jännite (Vdss)
    700V
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    N-Channel 700V 9A (Tc) 52W (Tc) Through Hole TO-220F
  • Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
    9A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

26.01.2025

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

13.01.2025

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

31.12.2024

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

23.12.2024

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

12.12.2024

Microchip ilmoittaa 500 lomautusta, ja rakenneuudistuskusta...

04.12.2024

Quanta: AI -kysyntä on edelleen vahvaa, tasaisella tilausv...

03.12.2024

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

02.12.2024

Samsung vähentää merkittävästi fotoresistista käyttö...

02.12.2024

Vishay sijoittaa 51 miljoonaa puntaa hankittuun NWF -kiekkoon

29.11.2024

Trumpin tariffirasva, Nvidia, Intel -toimittajat arvioivat ...

28.11.2024

Intel saa 7,86 miljardia dollaria tukia Yhdysvaltain sirula...

27.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "GP1M009A070F" -tuotteita.
GP1M009A020HG

GP1M009A020HG

Kuvaus: MOSFET N-CH 200V 9A TO220

valmistajat: Global Power Technologies Group
Varastossa
RFQ
GP1M010A080H

GP1M010A080H

Kuvaus: MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220

valmistajat: Global Power Technologies Group
Varastossa
RFQ
GP1M008A080H

GP1M008A080H

Kuvaus: MOSFET N-CH 800V 8A TO220

valmistajat: Global Power Technologies Group
Varastossa
RFQ
GP1M008A080FH

GP1M008A080FH

Kuvaus: MOSFET N-CH 800V 8A TO220F

valmistajat: Global Power Technologies Group
Varastossa
RFQ
GP1M009A060H

GP1M009A060H

Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 9A TO220

valmistajat: Global Power Technologies Group
Varastossa
RFQ
GP1M011A050FSH

GP1M011A050FSH

Kuvaus: MOSFET N-CH 500V 10A TO220F

valmistajat: Global Power Technologies Group
Varastossa
RFQ
GP1M009A060FH

GP1M009A060FH

Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 9A TO220F

valmistajat: Global Power Technologies Group
Varastossa
RFQ
GP1M009A090N

GP1M009A090N

Kuvaus: MOSFET N-CH 900V 9.5A TO3PN

valmistajat: Global Power Technologies Group
Varastossa
RFQ
GP1M009A020FG

GP1M009A020FG

Kuvaus: MOSFET N-CH 200V 9A TO220F

valmistajat: Global Power Technologies Group
Varastossa
RFQ
GP1M009A020CG

GP1M009A020CG

Kuvaus: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK

valmistajat: Global Power Technologies Group
Varastossa
RFQ
GP1M009A090FH

GP1M009A090FH

Kuvaus: MOSFET N-CH 900V 9A TO220F

valmistajat: Global Power Technologies Group
Varastossa
RFQ
GP1M010A080FH

GP1M010A080FH

Kuvaus: MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220F

valmistajat: Global Power Technologies Group
Varastossa
RFQ
GP1M010A060FH

GP1M010A060FH

Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 10A TO220F

valmistajat: Global Power Technologies Group
Varastossa
RFQ
GP1M011A050FH

GP1M011A050FH

Kuvaus: MOSFET N-CH 500V 11A TO220F

valmistajat: Global Power Technologies Group
Varastossa
RFQ
GP1M010A060H

GP1M010A060H

Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 10A TO220

valmistajat: Global Power Technologies Group
Varastossa
RFQ
GP1M009A050HS

GP1M009A050HS

Kuvaus: MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220

valmistajat: Global Power Technologies Group
Varastossa
RFQ
GP1M009A090H

GP1M009A090H

Kuvaus: MOSFET N-CH 900V 9A TO220

valmistajat: Global Power Technologies Group
Varastossa
RFQ
GP1M009A050FSH

GP1M009A050FSH

Kuvaus: MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220F

valmistajat: Global Power Technologies Group
Varastossa
RFQ
GP1M009A020PG

GP1M009A020PG

Kuvaus: MOSFET N-CH 200V 9A IPAK

valmistajat: Global Power Technologies Group
Varastossa
RFQ
GP1M010A080N

GP1M010A080N

Kuvaus: MOSFET N-CH 900V 10A TO3PN

valmistajat: Global Power Technologies Group
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäUutisetSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.