Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - IGBTs - Single > GPA040A120MN-FD
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
5495233GPA040A120MN-FD-kuvaGlobal Power Technologies Group

GPA040A120MN-FD

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa
2500+
$3.192
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    GPA040A120MN-FD
  • Valmistaja / merkki
    SemiQ
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    IGBT 1200V 80A 480W TO3PN
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    GPA040A120MN-FD.pdf
  • Jännite - Collector Emitter Breakdown (Max)
    1200V
  • Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic
    2.6V @ 15V, 40A
  • Testaa kunto
    600V, 40A, 5 Ohm, 15V
  • Td (päällä / pois) @ 25 ° C
    55ns/200ns
  • Switching Energy
    5.3mJ (on), 1.1mJ (off)
  • Toimittaja Device Package
    TO-3PN
  • Sarja
    -
  • Käänteinen Recovery Time (TRR)
    200ns
  • Virta - Max
    480W
  • Pakkaus
    Tube
  • Pakkaus / Case
    TO-3
  • Muut nimet
    1560-1224-1
    1560-1224-1-ND
    1560-1224-5
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Asennustyyppi
    Through Hole
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • Syötetyyppi
    Standard
  • IGBT Tyyppi
    Trench Field Stop
  • Gate Charge
    480nC
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    IGBT Trench Field Stop 1200V 80A 480W Through Hole TO-3PN
  • Nykyinen - Collector Pulssi (ICM)
    120A
  • Nykyinen - Collector (le) (Max)
    80A

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

13.01.2025

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

31.12.2024

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

23.12.2024

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

12.12.2024

Microchip ilmoittaa 500 lomautusta, ja rakenneuudistuskusta...

04.12.2024

Quanta: AI -kysyntä on edelleen vahvaa, tasaisella tilausv...

03.12.2024

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

02.12.2024

Samsung vähentää merkittävästi fotoresistista käyttö...

02.12.2024

Vishay sijoittaa 51 miljoonaa puntaa hankittuun NWF -kiekkoon

29.11.2024

Trumpin tariffirasva, Nvidia, Intel -toimittajat arvioivat ...

28.11.2024

Intel saa 7,86 miljardia dollaria tukia Yhdysvaltain sirula...

27.11.2024

AMD käynnistää Bangaloren suunnittelukeskuksen toisen va...

26.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "GPA040A120MN-FD" -tuotteita.
GPA015A120MN-ND

GPA015A120MN-ND

Kuvaus: IGBT 1200V 30A 212W TO3PN

valmistajat: Global Power Technologies Group
Varastossa
RFQ
GPA030A135MN-FDR

GPA030A135MN-FDR

Kuvaus: IGBT 1350V 60A 329W TO3PN

valmistajat: Global Power Technologies Group
Varastossa
RFQ
GPA040A120L-ND

GPA040A120L-ND

Kuvaus: IGBT 1200V 80A 455W TO264

valmistajat: Global Power Technologies Group
Varastossa
RFQ
GPA060A060MN-FD

GPA060A060MN-FD

Kuvaus: IGBT 600V 120A 347W TO3PN

valmistajat: Global Power Technologies Group
Varastossa
RFQ
GPA042A100L-ND

GPA042A100L-ND

Kuvaus: IGBT 1000V 60A 463W TO264

valmistajat: Global Power Technologies Group
Varastossa
RFQ
GPA801HC0G

GPA801HC0G

Kuvaus: DIODE GEN PURP 50V 8A TO220AC

valmistajat: TSC (Taiwan Semiconductor)
Varastossa
RFQ
GPA801-BP

GPA801-BP

Kuvaus: DIODE GPP 8A TO220AC

valmistajat: Micro Commercial Components (MCC)
Varastossa
RFQ
GPA020A135MN-FD

GPA020A135MN-FD

Kuvaus: IGBT 1350V 40A 223W TO3PN

valmistajat: Global Power Technologies Group
Varastossa
RFQ
GPA030A120MN-FD

GPA030A120MN-FD

Kuvaus: IGBT 1200V 60A 329W TO3PN

valmistajat: Global Power Technologies Group
Varastossa
RFQ
GPA802-BP

GPA802-BP

Kuvaus: DIODE GPP 8A TO220AC

valmistajat: Micro Commercial Components (MCC)
Varastossa
RFQ
GPA030A120I-FD

GPA030A120I-FD

Kuvaus: IGBT 1200V 60A 329W TO247

valmistajat: Global Power Technologies Group
Varastossa
RFQ
GPA802 C0G

GPA802 C0G

Kuvaus: DIODE GEN PURP 100V 8A TO220AC

valmistajat: TSC (Taiwan Semiconductor)
Varastossa
RFQ
GPA801 C0G

GPA801 C0G

Kuvaus: DIODE GEN PURP 50V 8A TO220AC

valmistajat: TSC (Taiwan Semiconductor)
Varastossa
RFQ
GPA020A120MN-FD

GPA020A120MN-FD

Kuvaus: IGBT 1200V 40A 223W TO3PN

valmistajat: Global Power Technologies Group
Varastossa
RFQ
GPA040A120L-FD

GPA040A120L-FD

Kuvaus: IGBT 1200V 80A 480W TO264

valmistajat: Global Power Technologies Group
Varastossa
RFQ
GPA802HC0G

GPA802HC0G

Kuvaus: DIODE GEN PURP 100V 8A TO220AC

valmistajat: TSC (Taiwan Semiconductor)
Varastossa
RFQ
GPA2000-0.010-02-0816

GPA2000-0.010-02-0816

Kuvaus: THERM PAD 406.4MMX203.2MM GRAY

valmistajat: Bergquist
Varastossa
RFQ
GPA025A120MN-ND

GPA025A120MN-ND

Kuvaus: IGBT 1200V 50A 312W TO3PN

valmistajat: Global Power Technologies Group
Varastossa
RFQ
GPA801DT-TP

GPA801DT-TP

Kuvaus: DIODE GPP 8A D2PAK

valmistajat: Micro Commercial Components (MCC)
Varastossa
RFQ
GPA802DT-TP

GPA802DT-TP

Kuvaus: DIODE GPP 8A D2PAK

valmistajat: Micro Commercial Components (MCC)
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.