Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

*Yrityksen nimi
*Nimi
*Otsikko

*Sähköpostiosoite
*Puhelinnumero

*Maa
*Kontaktiikkuna
*Tapahtumapäivä

*Viesti

Vierailijoille Electronica 2024

Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.

Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > IXFN30N120P

RFQs/tilaus (0)

Suomi

Suomi

5438758

IXFN30N120P-kuva

IXYS Corporation

IXFN30N120P

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa

10+

$44.011

Kysely verkossa

tekniset tiedot

Osa numero

IXFN30N120P
Valmistaja / merkki

IXYS / Littelfuse
Varaston määrä

Varastossa
Kuvaus

MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227B
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
lomakkeissa

IXFN30N120P.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

6.5V @ 1mA
Vgs (Max)

±30V
teknologia

MOSFET (Metal Oxide)
Toimittaja Device Package

SOT-227B
Sarja

Polar™
RDS (Max) @ Id, Vgs

350 mOhm @ 500mA, 10V
Tehonkulutus (Max)

890W (Tc)
Pakkaus

Tube
Pakkaus / Case

SOT-227-4, miniBLOC
Käyttölämpötila

-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi

Chassis Mount
Kosteuden herkkyys (MSL)

1 (Unlimited)
Valmistajan toimitusaika

24 Weeks
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lead free / RoHS Compliant
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds

19000pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

310nC @ 10V
FET tyyppi

N-Channel
FET Ominaisuus

-
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Valua lähde jännite (Vdss)

1200V
Yksityiskohtainen kuvaus

N-Channel 1200V 30A (Tc) 890W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C

30A (Tc)

Liittyvät uutiset
laivaus
maksu

On ilmoitettu, että Kioxia saa listalle hyväksynnän 22. ...

Tower Semiconductorin uusin pii -optinen alusta on asetettu...

Teollisuus toipuu hitaasti.Epitaksiaalinen toimittaja IQE h...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Toimittaja: Suuri määrä RTX 50 -sarjan GPU -komponenttej...

Taiwan, Kiinan puolijohdetuottoarvo kasvaa 22%: lla NT:...

LG Display investoi OLED -paneelien tuotantoa lisää milja...

Amazon lisää pyrkimyksiä luoda räätälöityjä AI -sir...

Pegatronin Q3 -nettotulos oli NT 4,296 miljardia dollaria, ...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Etelä -Korea aikoo antaa sirulain torjumaan Trumpin uhkaa

laivaus

Maksu

Seuraava on "IXFN30N120P" -tuotteita.

IXFN320N17T2

Kuvaus: MOSFET N-CH 170V 260A SOT227

valmistajat: IXYS Corporation

Varastossa

IXFN30N110P

Kuvaus: MOSFET N-CH 1100V 25A SOT-227B

valmistajat: IXYS Corporation

Varastossa

IXFN26N100P

Kuvaus: MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B

valmistajat: IXYS Corporation

Varastossa

IXFN300N10P

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 295A SOT-227

valmistajat: IXYS Corporation

Varastossa

IXFN340N06

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 340A SOT-227B

valmistajat: IXYS Corporation

Varastossa

IXFN32N100Q3

Kuvaus: MOSFET N-CH 1000V 28A SOT-227

valmistajat: IXYS Corporation

Varastossa

IXFN26N120P

Kuvaus: MOSFET N-CH 1200V 23A SOT-227B

valmistajat: IXYS Corporation

Varastossa

IXFN32N100P

Kuvaus: MOSFET N-CH 1000V 27A SOT-227B

valmistajat: IXYS Corporation

Varastossa

IXFN280N07

Kuvaus: MOSFET N-CH 70V 280A SOT-227B

valmistajat: IXYS Corporation

Varastossa

IXFN300N20X3

Kuvaus: 200V/300A ULTRA JUNCTION X3-CLAS

valmistajat: IXYS Corporation

Varastossa

IXFN26N90

Kuvaus: MOSFET N-CH 900V 26A SOT-227B

valmistajat: IXYS Corporation

Varastossa

IXFN34N100

Kuvaus: MOSFET N-CH 1000V 34A SOT-227B

valmistajat: IXYS Corporation

Varastossa

IXFN340N07

Kuvaus: MOSFET N-CH 70V 340A SOT-227B

valmistajat: IXYS Corporation

Varastossa

IXFN280N085

Kuvaus: MOSFET N-CH 85V 280A SOT-227B

valmistajat: IXYS Corporation

Varastossa

IXFN32N60

Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 32A SOT-227

valmistajat: IXYS Corporation

Varastossa

IXFN32N120P

Kuvaus: MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B

valmistajat: IXYS Corporation

Varastossa

IXFN34N80

Kuvaus: MOSFET N-CH 800V 34A SOT-227B

valmistajat: IXYS Corporation

Varastossa

IXFN32N80P

Kuvaus: MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227B

valmistajat: IXYS

Varastossa

IXFN27N80

Kuvaus: MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B

valmistajat: IXYS Corporation

Varastossa

IXFN27N80Q

Kuvaus: MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B

valmistajat: IXYS Corporation

Varastossa

Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.

Seuraa meitä

käyttöehdot Rikkomuspolitiikka Pyydä tarjous Meistä Ota meihin yhteyttä Sivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.