Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > IXFN360N10T
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
5667020IXFN360N10T-kuvaIXYS Corporation

IXFN360N10T

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa
1+
$20.99
10+
$19.08
30+
$17.649
100+
$16.218
250+
$14.787
500+
$13.833
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    IXFN360N10T
  • Valmistaja / merkki
    IXYS / Littelfuse
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    IXFN360N10T.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • teknologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Toimittaja Device Package
    SOT-227B
  • Sarja
    HiPerFET™
  • RDS (Max) @ Id, Vgs
    2.6 mOhm @ 180A, 10V
  • Tehonkulutus (Max)
    830W (Tc)
  • Pakkaus
    Tube
  • Pakkaus / Case
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Asennustyyppi
    Chassis Mount
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Valmistajan toimitusaika
    24 Weeks
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
    36000pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    505nC @ 10V
  • FET tyyppi
    N-Channel
  • FET Ominaisuus
    -
  • Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Valua lähde jännite (Vdss)
    100V
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    N-Channel 100V 360A (Tc) 830W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
  • Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
    360A (Tc)

Trumpin tariffirasva, Nvidia, Intel -toimittajat arvioivat ...

28.11.2024

Intel saa 7,86 miljardia dollaria tukia Yhdysvaltain sirula...

27.11.2024

AMD käynnistää Bangaloren suunnittelukeskuksen toisen va...

26.11.2024

NVIDIA RTX 5090 -näytönohjaimen GPU -pinta -ala on 744 mm...

25.11.2024

Antropia saa vielä 4 miljardin dollarin sijoituksen Amazon...

23.11.2024

Puoli: IC -myynnin nousu 12%: lla kolmannella vuosinelj...

22.11.2024

On ilmoitettu, että Kioxia saa listalle hyväksynnän 22. ...

21.11.2024

Tower Semiconductorin uusin pii -optinen alusta on asetettu...

20.11.2024

Teollisuus toipuu hitaasti.Epitaksiaalinen toimittaja IQE h...

19.11.2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19.11.2024

The core value and future development trend of passive comp...

18.11.2024

Toimittaja: Suuri määrä RTX 50 -sarjan GPU -komponenttej...

18.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "IXFN360N10T" -tuotteita.
IXFN38N80Q2

IXFN38N80Q2

Kuvaus: MOSFET N-CH 800V 38A SOT-227

valmistajat: IXYS Corporation
Varastossa
RFQ
IXFN32N60

IXFN32N60

Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 32A SOT-227

valmistajat: IXYS Corporation
Varastossa
RFQ
IXFN36N110P

IXFN36N110P

Kuvaus: MOSFET N-CH 1100V 36A SOT-227B

valmistajat: IXYS Corporation
Varastossa
RFQ
IXFN36N100

IXFN36N100

Kuvaus: MOSFET N-CH 1KV 36A SOT-227B

valmistajat: IXYS Corporation
Varastossa
RFQ
IXFN32N80P

IXFN32N80P

Kuvaus: MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227B

valmistajat: IXYS
Varastossa
RFQ
IXFN36N60

IXFN36N60

Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 36A SOT-227B

valmistajat: IXYS Corporation
Varastossa
RFQ
IXFN32N100P

IXFN32N100P

Kuvaus: MOSFET N-CH 1000V 27A SOT-227B

valmistajat: IXYS Corporation
Varastossa
RFQ
IXFN32N100Q3

IXFN32N100Q3

Kuvaus: MOSFET N-CH 1000V 28A SOT-227

valmistajat: IXYS Corporation
Varastossa
RFQ
IXFN34N100

IXFN34N100

Kuvaus: MOSFET N-CH 1000V 34A SOT-227B

valmistajat: IXYS Corporation
Varastossa
RFQ
IXFN340N07

IXFN340N07

Kuvaus: MOSFET N-CH 70V 340A SOT-227B

valmistajat: IXYS Corporation
Varastossa
RFQ
IXFN32N120P

IXFN32N120P

Kuvaus: MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B

valmistajat: IXYS Corporation
Varastossa
RFQ
IXFN340N06

IXFN340N06

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 340A SOT-227B

valmistajat: IXYS Corporation
Varastossa
RFQ
IXFN320N17T2

IXFN320N17T2

Kuvaus: MOSFET N-CH 170V 260A SOT227

valmistajat: IXYS Corporation
Varastossa
RFQ
IXFN38N100Q2

IXFN38N100Q2

Kuvaus: MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227

valmistajat: IXYS Corporation
Varastossa
RFQ
IXFN34N80

IXFN34N80

Kuvaus: MOSFET N-CH 800V 34A SOT-227B

valmistajat: IXYS Corporation
Varastossa
RFQ
IXFN38N100P

IXFN38N100P

Kuvaus: MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227B

valmistajat: IXYS Corporation
Varastossa
RFQ
IXFN40N110P

IXFN40N110P

Kuvaus: MOSFET N-CH 1100V 34A SOT-227B

valmistajat: IXYS Corporation
Varastossa
RFQ
IXFN39N90

IXFN39N90

Kuvaus: MOSFET N-CH 900V 39A SOT-227B

valmistajat: IXYS Corporation
Varastossa
RFQ
IXFN360N15T2

IXFN360N15T2

Kuvaus: MOSFET N-CH 150V 310A SOT227

valmistajat: IXYS Corporation
Varastossa
RFQ
IXFN400N15X3

IXFN400N15X3

Kuvaus: MOSFET N-CH

valmistajat: IXYS Corporation
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.