Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > BSZ110N06NS3GATMA1
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
7024242BSZ110N06NS3GATMA1-kuvaInternational Rectifier (Infineon Technologies)

BSZ110N06NS3GATMA1

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa
1+
$1.03
10+
$0.904
100+
$0.697
500+
$0.517
1000+
$0.413
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    BSZ110N06NS3GATMA1
  • Valmistaja / merkki
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    1.BSZ110N06NS3GATMA1.pdf
    2.BSZ110N06NS3GATMA1.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 23µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • teknologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Toimittaja Device Package
    PG-TSDSON-8
  • Sarja
    OptiMOS™
  • RDS (Max) @ Id, Vgs
    11 mOhm @ 20A, 10V
  • Tehonkulutus (Max)
    2.1W (Ta), 50W (Tc)
  • Pakkaus
    Cut Tape (CT)
  • Pakkaus / Case
    8-PowerVDFN
  • Muut nimet
    BSZ110N06NS3GATMA1CT
    BSZ110N06NS3GINCT
    BSZ110N06NS3GINCT-ND
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Asennustyyppi
    Surface Mount
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
    2700pF @ 30V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    33nC @ 10V
  • FET tyyppi
    N-Channel
  • FET Ominaisuus
    -
  • Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Valua lähde jännite (Vdss)
    60V
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    N-Channel 60V 20A (Tc) 2.1W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
  • Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
    20A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

24.10.2024

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

10.10.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "BSZ110N06NS3GATMA1" -tuotteita.
BSZ130N03LSGATMA1

BSZ130N03LSGATMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 35A TSDSON-8

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
BSZ146N10LS5ATMA1

BSZ146N10LS5ATMA1

Kuvaus: MV POWER MOS

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
BSZ096N10LS5ATMA1

BSZ096N10LS5ATMA1

Kuvaus: MV POWER MOS

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
BSZ150N10LS3GATMA1

BSZ150N10LS3GATMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
BSZ110N08NS5ATMA1

BSZ110N08NS5ATMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
BSZ120P03NS3GATMA1

BSZ120P03NS3GATMA1

Kuvaus: MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
BSZ099N06LS5ATMA1

BSZ099N06LS5ATMA1

Kuvaus: MV POWER MOS

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
BSZ097N10NS5ATMA1

BSZ097N10NS5ATMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON-8

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
BSZ15DC02KDHXTMA1

BSZ15DC02KDHXTMA1

Kuvaus: MOSFET N/P-CH 20V 8TDSON

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
BSZ100N03MSGATMA1

BSZ100N03MSGATMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 40A TDSON-8

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
BSZ12DN20NS3GATMA1

BSZ12DN20NS3GATMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
BSZ097N04LSGATMA1

BSZ097N04LSGATMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
BSZ130N03MSGATMA1

BSZ130N03MSGATMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 35A TSDSON-8

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
BSZ0994NSATMA1

BSZ0994NSATMA1

Kuvaus: MOSFET N-CHANNEL 30V 13A 8TDSON

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
BSZ100N06NSATMA1

BSZ100N06NSATMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 40A 8TSDSON

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
BSZ100N06LS3GATMA1

BSZ100N06LS3GATMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
BSZ120P03NS3EGATMA1

BSZ120P03NS3EGATMA1

Kuvaus: MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
BSZ105N04NSGATMA1

BSZ105N04NSGATMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
BSZ123N08NS3GATMA1

BSZ123N08NS3GATMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON-8

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
BSZ100N03LSGATMA1

BSZ100N03LSGATMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.