Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > IPB029N06N3GE8187ATMA1
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
1466155IPB029N06N3GE8187ATMA1-kuvaInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IPB029N06N3GE8187ATMA1

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa
1000+
$1.116
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    IPB029N06N3GE8187ATMA1
  • Valmistaja / merkki
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    IPB029N06N3GE8187ATMA1.pdf
  • ECAD -malli
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 118µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • teknologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Toimittaja Device Package
    D²PAK (TO-263AB)
  • Sarja
    OptiMOS™
  • RDS (Max) @ Id, Vgs
    3.2 mOhm @ 100A, 10V
  • Tehonkulutus (Max)
    188W (Tc)
  • Pakkaus
    Tape & Reel (TR)
  • Pakkaus / Case
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Muut nimet
    IPB029N06N3 G E8187
    IPB029N06N3 G E8187-ND
    IPB029N06N3GE8187ATMA1TR
    SP000939334
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Asennustyyppi
    Surface Mount
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
    13000pF @ 30V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    165nC @ 10V
  • FET tyyppi
    N-Channel
  • FET Ominaisuus
    -
  • Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Valua lähde jännite (Vdss)
    60V
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    N-Channel 60V 120A (Tc) 188W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
  • Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
    120A (Tc)

ABLIC and Infineon's innovative IC technology will driv...

20.01.2025

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

24.10.2024

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

10.10.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "IPB029N06N3GE8187ATMA1" -tuotteita.
IPB025N10N3GE8187ATMA1

IPB025N10N3GE8187ATMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPB024N10N5ATMA1

IPB024N10N5ATMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPB035N08N3 G

IPB035N08N3 G

Kuvaus: MOSFET N-CH 80V 100A TO263-3

valmistajat: Infineon Technologies
Varastossa
RFQ
IPB027N10N5ATMA1

IPB027N10N5ATMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK-3

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPB032N10N5ATMA1

IPB032N10N5ATMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 166A TO263-7

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPB027N10N3GATMA1

IPB027N10N3GATMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPB033N10N5LFATMA1

IPB033N10N5LFATMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V D2PAK-3

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPB023N06N3GATMA1

IPB023N06N3GATMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 140A TO263-7

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPB025N08N3GATMA1

IPB025N08N3GATMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPB029N06N3GATMA1

IPB029N06N3GATMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPB034N03LGATMA1

IPB034N03LGATMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 80A TO-263-3

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPB031N08N5ATMA1

IPB031N08N5ATMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 80V TO263-3

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPB036N12N3GATMA1

IPB036N12N3GATMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPB034N06L3GATMA1

IPB034N06L3GATMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPB031NE7N3GATMA1

IPB031NE7N3GATMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPB025N10N3GATMA1

IPB025N10N3GATMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPB026N06NATMA1

IPB026N06NATMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 25A TO263-3

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPB034N06N3GATMA1

IPB034N06N3GATMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 100A TO263-7

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPB024N08N5ATMA1

IPB024N08N5ATMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 80V TO263-3

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPB030N08N3GATMA1

IPB030N08N3GATMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 80V 160A TO263-7

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäUutisetSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.