Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > IPB180N03S4LH0ATMA1
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
430940IPB180N03S4LH0ATMA1-kuvaInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IPB180N03S4LH0ATMA1

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa
1000+
$1.825
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    IPB180N03S4LH0ATMA1
  • Valmistaja / merkki
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7-3
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    IPB180N03S4LH0ATMA1.pdf
  • ECAD -malli
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.2V @ 200µA
  • Vgs (Max)
    ±16V
  • teknologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Toimittaja Device Package
    PG-TO263-7-3
  • Sarja
    OptiMOS™
  • RDS (Max) @ Id, Vgs
    0.95 mOhm @ 100A, 10V
  • Tehonkulutus (Max)
    250W (Tc)
  • Pakkaus
    Tape & Reel (TR)
  • Pakkaus / Case
    TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
  • Muut nimet
    IPB180N03S4L-H0
    IPB180N03S4L-H0-ND
    IPB180N03S4LH0ATMA1TR
    SP000555050
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Asennustyyppi
    Surface Mount
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
    23000pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    300nC @ 10V
  • FET tyyppi
    N-Channel
  • FET Ominaisuus
    -
  • Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Valua lähde jännite (Vdss)
    30V
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    N-Channel 30V 180A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3
  • Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
    180A (Tc)

ABLIC and Infineon's innovative IC technology will driv...

20.01.2025

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

24.10.2024

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

10.10.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "IPB180N03S4LH0ATMA1" -tuotteita.
IPB160N04S2L03ATMA2

IPB160N04S2L03ATMA2

Kuvaus: MOSFET N-CH TO262-7

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPB180N04S400ATMA1

IPB180N04S400ATMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPB160N04S203ATMA4

IPB160N04S203ATMA4

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPB180N06S4H1ATMA2

IPB180N06S4H1ATMA2

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPB180N04S4H0ATMA1

IPB180N04S4H0ATMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPB180N04S302ATMA1

IPB180N04S302ATMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPB180N10S402ATMA1

IPB180N10S402ATMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH TO263-7

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPB180N08S402ATMA1

IPB180N08S402ATMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH TO263-7

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPB160N04S4LH1ATMA1

IPB160N04S4LH1ATMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH TO263-7

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPB160N04S2L03ATMA1

IPB160N04S2L03ATMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPB160N04S4H1ATMA1

IPB160N04S4H1ATMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPB16CN10N G

IPB16CN10N G

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 53A TO263-3

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPB180N03S4L01ATMA1

IPB180N03S4L01ATMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7-3

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPB17N25S3100ATMA1

IPB17N25S3100ATMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH TO263-3

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPB180N04S401ATMA1

IPB180N04S401ATMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPB160N08S403ATMA1

IPB160N08S403ATMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH TO263-7

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPB180N04S4L01ATMA1

IPB180N04S4L01ATMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH TO263-7

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPB180N06S4H1ATMA1

IPB180N06S4H1ATMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPB160N04S3H2ATMA1

IPB160N04S3H2ATMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPB180N04S4LH0ATMA1

IPB180N04S4LH0ATMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH TO263-7

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäUutisetSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.