Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > IPD082N10N3GBTMA1
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
4019165IPD082N10N3GBTMA1-kuvaInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IPD082N10N3GBTMA1

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    IPD082N10N3GBTMA1
  • Valmistaja / merkki
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    IPD082N10N3GBTMA1.pdf
  • ECAD -malli
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3.5V @ 75µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • teknologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Toimittaja Device Package
    PG-TO252-3
  • Sarja
    OptiMOS™
  • RDS (Max) @ Id, Vgs
    8.2 mOhm @ 73A, 10V
  • Tehonkulutus (Max)
    125W (Tc)
  • Pakkaus
    Tape & Reel (TR)
  • Pakkaus / Case
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Muut nimet
    IPD082N10N3 G
    IPD082N10N3 G-ND
    IPD082N10N3GBTMA1TR
    SP000485986
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Asennustyyppi
    Surface Mount
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
    3980pF @ 50V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    55nC @ 10V
  • FET tyyppi
    N-Channel
  • FET Ominaisuus
    -
  • Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Valua lähde jännite (Vdss)
    100V
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    N-Channel 100V 80A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
  • Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
    80A (Tc)

ABLIC and Infineon's innovative IC technology will driv...

20.01.2025

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

24.10.2024

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

10.10.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "IPD082N10N3GBTMA1" -tuotteita.
IPD079N06L3GBTMA1

IPD079N06L3GBTMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPD06N03LB G

IPD06N03LB G

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 50A TO-252

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPD068N10N3GBTMA1

IPD068N10N3GBTMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPD096N08N3GATMA1

IPD096N08N3GATMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 80V 73A

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPD075N03LGBTMA1

IPD075N03LGBTMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPD088N06N3GBTMA1

IPD088N06N3GBTMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPD09N03LB G

IPD09N03LB G

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 50A DPAK

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPD09N03LA G

IPD09N03LA G

Kuvaus: MOSFET N-CH 25V 50A DPAK

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPD090N03LGBTMA1

IPD090N03LGBTMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 40A TO252

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPD1-02-D-GP

IPD1-02-D-GP

Kuvaus: MINI-POWER CONNECTOR

valmistajat: Samtec, Inc.
Varastossa
RFQ
IPD090N03LGATMA1

IPD090N03LGATMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPD068P03L3GATMA1

IPD068P03L3GATMA1

Kuvaus: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPD082N10N3GATMA1

IPD082N10N3GATMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPD088N04LGBTMA1

IPD088N04LGBTMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPD075N03LGATMA1

IPD075N03LGATMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPD068N10N3GATMA1

IPD068N10N3GATMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 90A

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPD096N08N3GBTMA1

IPD096N08N3GBTMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPD06N03LA G

IPD06N03LA G

Kuvaus: MOSFET N-CH 25V 50A DPAK

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPD068P03L3GBTMA1

IPD068P03L3GBTMA1

Kuvaus: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPD1-02-D

IPD1-02-D

Kuvaus: POWER HOUSING MINI MATE

valmistajat: Samtec, Inc.
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäUutisetSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.