Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > IPD12CN10NGBUMA1
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
1656768IPD12CN10NGBUMA1-kuvaInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IPD12CN10NGBUMA1

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    IPD12CN10NGBUMA1
  • Valmistaja / merkki
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    IPD12CN10NGBUMA1.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 83µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • teknologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Toimittaja Device Package
    PG-TO252-3
  • Sarja
    OptiMOS™
  • RDS (Max) @ Id, Vgs
    12.4 mOhm @ 67A, 10V
  • Tehonkulutus (Max)
    125W (Tc)
  • Pakkaus
    Tape & Reel (TR)
  • Pakkaus / Case
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Muut nimet
    IPD12CN10N G
    IPD12CN10N G-ND
    IPD12CN10NGBUMA1TR
    SP000096476
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Asennustyyppi
    Surface Mount
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
    4320pF @ 50V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    65nC @ 10V
  • FET tyyppi
    N-Channel
  • FET Ominaisuus
    -
  • Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Valua lähde jännite (Vdss)
    100V
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    N-Channel 100V 67A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
  • Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
    67A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

24.10.2024

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

10.10.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "IPD12CN10NGBUMA1" -tuotteita.
IPD14N06S280ATMA1

IPD14N06S280ATMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 55V 17A TO252-3

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPD12CNE8N G

IPD12CNE8N G

Kuvaus: MOSFET N-CH 85V 67A TO252-3

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPD135N03LGXT

IPD135N03LGXT

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPD12N03LB G

IPD12N03LB G

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 30A TO-252

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPD144N06NGBTMA1

IPD144N06NGBTMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 50A TO-252

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPD13N03LA G

IPD13N03LA G

Kuvaus: MOSFET N-CH 25V 30A DPAK

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPD122N10N3GBTMA1

IPD122N10N3GBTMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPD110N12N3GATMA1

IPD110N12N3GATMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPD135N08N3GBTMA1

IPD135N08N3GBTMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 80V 45A TO252-3

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPD105N04LGBTMA1

IPD105N04LGBTMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 40A TO252-3

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPD122N10N3GATMA1

IPD122N10N3GATMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 59A

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPD110N12N3GBUMA1

IPD110N12N3GBUMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPD135N03LGBTMA1

IPD135N03LGBTMA1

Kuvaus: LV POWER MOS

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPD135N03LGATMA1

IPD135N03LGATMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPD10N03LA

IPD10N03LA

Kuvaus: MOSFET N-CH 25V 30A DPAK

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPD135N08N3GATMA1

IPD135N08N3GATMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 80V 45A

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPD12CN10NGATMA1

IPD12CN10NGATMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPD127N06LGBTMA1

IPD127N06LGBTMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 50A TO-252

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPD10N03LA G

IPD10N03LA G

Kuvaus: MOSFET N-CH 25V 30A DPAK

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPD105N03LGATMA1

IPD105N03LGATMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 30V 35A TO252-3

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.