Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > IPD30N08S2L21ATMA1
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
673057IPD30N08S2L21ATMA1-kuvaInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IPD30N08S2L21ATMA1

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa
1+
$1.56
10+
$1.38
100+
$1.09
500+
$0.846
1000+
$0.668
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    IPD30N08S2L21ATMA1
  • Valmistaja / merkki
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    IPD30N08S2L21ATMA1.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2V @ 80µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • teknologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Toimittaja Device Package
    PG-TO252-3
  • Sarja
    OptiMOS™
  • RDS (Max) @ Id, Vgs
    20.5 mOhm @ 25A, 10V
  • Tehonkulutus (Max)
    136W (Tc)
  • Pakkaus
    Cut Tape (CT)
  • Pakkaus / Case
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Muut nimet
    IPD30N08S2L-21CT
    IPD30N08S2L-21CT-ND
    IPD30N08S2L21ATMA1CT
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Asennustyyppi
    Surface Mount
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
    1650pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    72nC @ 10V
  • FET tyyppi
    N-Channel
  • FET Ominaisuus
    -
  • Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Valua lähde jännite (Vdss)
    75V
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    N-Channel 75V 30A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
  • Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
    30A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

24.10.2024

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

10.10.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "IPD30N08S2L21ATMA1" -tuotteita.
IPD30N06S223ATMA1

IPD30N06S223ATMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPD30N06S2L23ATMA1

IPD30N06S2L23ATMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPD320N20N3GATMA1

IPD320N20N3GATMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 200V 34A

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPD400N06NGBTMA1

IPD400N06NGBTMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 27A TO-252

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPD30N06S4L23ATMA2

IPD30N06S4L23ATMA2

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPD33CN10NGATMA1

IPD33CN10NGATMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPD30N12S3L31ATMA1

IPD30N12S3L31ATMA1

Kuvaus: MOSFET N-CHANNEL_100+

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPD30N08S222ATMA1

IPD30N08S222ATMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPD30N06S215ATMA2

IPD30N06S215ATMA2

Kuvaus: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPD30N06S223ATMA2

IPD30N06S223ATMA2

Kuvaus: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPD350N06LGBTMA1

IPD350N06LGBTMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 29A DPAK

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPD35N10S3L26ATMA1

IPD35N10S3L26ATMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPD35N12S3L24ATMA1

IPD35N12S3L24ATMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 120V 35A TO252-3

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPD30N06S2L13ATMA4

IPD30N06S2L13ATMA4

Kuvaus: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPD30N06S2L23ATMA3

IPD30N06S2L23ATMA3

Kuvaus: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPD320N20N3GBTMA1

IPD320N20N3GBTMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 200V 34A TO252-3

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPD30N06S4L23ATMA1

IPD30N06S4L23ATMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPD30N06S2L-13

IPD30N06S2L-13

Kuvaus: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPD33CN10NGBUMA1

IPD33CN10NGBUMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPD30N10S3L34ATMA1

IPD30N10S3L34ATMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 30A TO252-3

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.