Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > IPD80R1K0CEBTMA1
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
4398864IPD80R1K0CEBTMA1-kuvaInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IPD80R1K0CEBTMA1

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa
2500+
$0.605
5000+
$0.574
12500+
$0.553
25000+
$0.536
62500+
$0.518
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    IPD80R1K0CEBTMA1
  • Valmistaja / merkki
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    IPD80R1K0CEBTMA1.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3.9V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • teknologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Toimittaja Device Package
    TO-252-3
  • Sarja
    CoolMOS™
  • RDS (Max) @ Id, Vgs
    950 mOhm @ 3.6A, 10V
  • Tehonkulutus (Max)
    83W (Tc)
  • Pakkaus
    Tape & Reel (TR)
  • Pakkaus / Case
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Muut nimet
    IPD80R1K0CEBTMA1TR
    SP001100606
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Asennustyyppi
    Surface Mount
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
    785pF @ 100V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    31nC @ 10V
  • FET tyyppi
    N-Channel
  • FET Ominaisuus
    -
  • Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Valua lähde jännite (Vdss)
    800V
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    N-Channel 800V 5.7A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount TO-252-3
  • Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
    5.7A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

24.10.2024

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

10.10.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "IPD80R1K0CEBTMA1" -tuotteita.
IPD80R2K8CEBTMA1

IPD80R2K8CEBTMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPD80N04S306BATMA1

IPD80N04S306BATMA1

Kuvaus: MOSFET N-CHANNEL_30/40V

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPD75N04S406ATMA1

IPD75N04S406ATMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 75A TO252-3-313

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPD80R280P7ATMA1

IPD80R280P7ATMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 800V 17A TO252

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPD80N06S3-09

IPD80N06S3-09

Kuvaus: MOSFET N-CH 55V 80A TO252-3

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPD80R2K8CEATMA1

IPD80R2K8CEATMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPD80R2K0P7ATMA1

IPD80R2K0P7ATMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 800V 3A TO252-3

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPD80R2K7C3AATMA1

IPD80R2K7C3AATMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH TO252-3

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPD800N06NGBTMA1

IPD800N06NGBTMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 16A TO-252

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPD80R1K0CEATMA1

IPD80R1K0CEATMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPD80P03P4L07ATMA1

IPD80P03P4L07ATMA1

Kuvaus: MOSFET P-CH 30V 80A TO252-3

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPD80R1K4CEATMA1

IPD80R1K4CEATMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPD78CN10NGATMA1

IPD78CN10NGATMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPD80N04S306ATMA1

IPD80N04S306ATMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPD80R1K2P7ATMA1

IPD80R1K2P7ATMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO252-3

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPD78CN10NGBUMA1

IPD78CN10NGBUMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPD70R950CEAUMA1

IPD70R950CEAUMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 700V 7.4A TO252-3

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPD80R2K4P7ATMA1

IPD80R2K4P7ATMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 800V 2.5A TO252-3

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPD80R1K4CEBTMA1

IPD80R1K4CEBTMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
IPD80R1K4P7ATMA1

IPD80R1K4P7ATMA1

Kuvaus: MOSFET N-CH 800V 4A DPAK

valmistajat: International Rectifier (Infineon Technologies)
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.