Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > R6015KNJTL
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
3591615R6015KNJTL-kuvaLAPIS Semiconductor

R6015KNJTL

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa
1000+
$1.351
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    R6015KNJTL
  • Valmistaja / merkki
    LAPIS Technology
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    NCH 600V 15A POWER MOSFET
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    1.R6015KNJTL.pdf
    2.R6015KNJTL.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • teknologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Toimittaja Device Package
    TO-263
  • Sarja
    -
  • RDS (Max) @ Id, Vgs
    290 mOhm @ 6.5A, 10V
  • Tehonkulutus (Max)
    184W (Tc)
  • Pakkaus
    Tape & Reel (TR)
  • Pakkaus / Case
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Muut nimet
    R6015KNJTLTR
  • Käyttölämpötila
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Asennustyyppi
    Surface Mount
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Valmistajan toimitusaika
    17 Weeks
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
    1050pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    37.5nC @ 10V
  • FET tyyppi
    N-Channel
  • FET Ominaisuus
    -
  • Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Valua lähde jännite (Vdss)
    600V
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    N-Channel 600V 15A (Tc) 184W (Tc) Surface Mount TO-263
  • Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
    15A (Tc)

Antropia saa vielä 4 miljardin dollarin sijoituksen Amazon...

23.11.2024

Puoli: IC -myynnin nousu 12%: lla kolmannella vuosinelj...

22.11.2024

On ilmoitettu, että Kioxia saa listalle hyväksynnän 22. ...

21.11.2024

Tower Semiconductorin uusin pii -optinen alusta on asetettu...

20.11.2024

Teollisuus toipuu hitaasti.Epitaksiaalinen toimittaja IQE h...

19.11.2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19.11.2024

The core value and future development trend of passive comp...

18.11.2024

Toimittaja: Suuri määrä RTX 50 -sarjan GPU -komponenttej...

18.11.2024

Taiwan, Kiinan puolijohdetuottoarvo kasvaa 22%: lla NT:...

17.11.2024

LG Display investoi OLED -paneelien tuotantoa lisää milja...

15.11.2024

Amazon lisää pyrkimyksiä luoda räätälöityjä AI -sir...

14.11.2024

Pegatronin Q3 -nettotulos oli NT 4,296 miljardia dollaria, ...

13.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "R6015KNJTL" -tuotteita.
R6015KNZC8

R6015KNZC8

Kuvaus: MOSFET N-CHANNEL 600V 15A TO3PF

valmistajat: LAPIS Semiconductor
Varastossa
RFQ
R6015ENX

R6015ENX

Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 15A TO220

valmistajat: LAPIS Semiconductor
Varastossa
RFQ
R6015ANJTL

R6015ANJTL

Kuvaus: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

valmistajat: LAPIS Semiconductor
Varastossa
RFQ
R6015KNX

R6015KNX

Kuvaus: NCH 600V 15A POWER MOSFET

valmistajat: LAPIS Semiconductor
Varastossa
RFQ
R6015ANX

R6015ANX

Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM

valmistajat: LAPIS Semiconductor
Varastossa
RFQ
R60200-3CR

R60200-3CR

Kuvaus: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS

valmistajat: Bussmann (Eaton)
Varastossa
RFQ
R6015ENJTL

R6015ENJTL

Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 15A LPT

valmistajat: LAPIS Semiconductor
Varastossa
RFQ
R6020222PSYA

R6020222PSYA

Kuvaus: DIODE GEN PURP 200V 220A DO205AB

valmistajat: Powerex, Inc.
Varastossa
RFQ
R6018ANJTL

R6018ANJTL

Kuvaus: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

valmistajat: LAPIS Semiconductor
Varastossa
RFQ
R6015FNX

R6015FNX

Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM

valmistajat: LAPIS Semiconductor
Varastossa
RFQ
R6020225HSYA

R6020225HSYA

Kuvaus: DIODE GEN PURP 200V 250A DO205AB

valmistajat: Powerex, Inc.
Varastossa
RFQ
R60200-1CR

R60200-1CR

Kuvaus: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS

valmistajat: Bussmann (Eaton)
Varastossa
RFQ
R60200-1STRM

R60200-1STRM

Kuvaus: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS

valmistajat: Bussmann (Eaton)
Varastossa
RFQ
R60200-1CRQ

R60200-1CRQ

Kuvaus: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS

valmistajat: Bussmann (Eaton)
Varastossa
RFQ
R6015ENZC8

R6015ENZC8

Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 15A TO3PF

valmistajat: LAPIS Semiconductor
Varastossa
RFQ
R60200-1STR

R60200-1STR

Kuvaus: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS

valmistajat: Bussmann (Eaton)
Varastossa
RFQ
R6013-00

R6013-00

Kuvaus: BRD SPT SNAP FIT/LOCK NYLON 1/2"

valmistajat: Harwin
Varastossa
RFQ
R6015ANZC8

R6015ANZC8

Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 15A TO3PF

valmistajat: LAPIS Semiconductor
Varastossa
RFQ
R6012FNX

R6012FNX

Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM

valmistajat: LAPIS Semiconductor
Varastossa
RFQ
R6015FNJTL

R6015FNJTL

Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 15A LPT

valmistajat: LAPIS Semiconductor
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.