Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

Vierailijoille Electronica 2024
Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.
Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Transistorit - FETit, MOSFETit - Single > R6024ENJTL
RFQs/tilaus (0)
Suomi
Suomi
226752R6024ENJTL-kuvaLAPIS Semiconductor

R6024ENJTL

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa
1+
$3.95
10+
$3.524
100+
$2.89
500+
$2.34
Kysely verkossa
tekniset tiedot
  • Osa numero
    R6024ENJTL
  • Valmistaja / merkki
    LAPIS Technology
  • Varaston määrä
    Varastossa
  • Kuvaus
    MOSFET N-CH 600V 24A LPT
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
  • lomakkeissa
    1.R6024ENJTL.pdf
    2.R6024ENJTL.pdf
  • ECAD -malli
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • teknologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Toimittaja Device Package
    LPTS (D2PAK)
  • Sarja
    -
  • RDS (Max) @ Id, Vgs
    165 mOhm @ 11.3A, 10V
  • Tehonkulutus (Max)
    40W (Tc)
  • Pakkaus
    Cut Tape (CT)
  • Pakkaus / Case
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Muut nimet
    R6024ENJTLCT
  • Käyttölämpötila
    150°C (TJ)
  • Asennustyyppi
    Surface Mount
  • Kosteuden herkkyys (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Valmistajan toimitusaika
    17 Weeks
  • Lyijytön tila / RoHS-tila
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
    1650pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    70nC @ 10V
  • FET tyyppi
    N-Channel
  • FET Ominaisuus
    -
  • Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Valua lähde jännite (Vdss)
    600V
  • Yksityiskohtainen kuvaus
    N-Channel 600V 24A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount LPTS (D2PAK)
  • Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C
    24A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

26.01.2025

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

13.01.2025

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

31.12.2024

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

23.12.2024

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

12.12.2024

Microchip ilmoittaa 500 lomautusta, ja rakenneuudistuskusta...

04.12.2024

Quanta: AI -kysyntä on edelleen vahvaa, tasaisella tilausv...

03.12.2024

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

02.12.2024

Samsung vähentää merkittävästi fotoresistista käyttö...

02.12.2024

Vishay sijoittaa 51 miljoonaa puntaa hankittuun NWF -kiekkoon

29.11.2024

Trumpin tariffirasva, Nvidia, Intel -toimittajat arvioivat ...

28.11.2024

Intel saa 7,86 miljardia dollaria tukia Yhdysvaltain sirula...

27.11.2024
laivaus
Maksu
Seuraava on "R6024ENJTL" -tuotteita.
R6021022PSYA

R6021022PSYA

Kuvaus: DIODE GEN PURP 1KV 220A DO205

valmistajat: Powerex, Inc.
Varastossa
RFQ
R6020KNZC8

R6020KNZC8

Kuvaus: MOSFET N-CHANNEL 600V 20A TO3PF

valmistajat: LAPIS Semiconductor
Varastossa
RFQ
R6020KNZ1C9

R6020KNZ1C9

Kuvaus: NCH 600V 20A POWER MOSFET

valmistajat: LAPIS Semiconductor
Varastossa
RFQ
R6025ANZC8

R6025ANZC8

Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF

valmistajat: LAPIS Semiconductor
Varastossa
RFQ
R6024KNJTL

R6024KNJTL

Kuvaus: MOSFET N-CHANNEL 600V 24A LPTS

valmistajat: LAPIS Semiconductor
Varastossa
RFQ
R6025FNZ1C9

R6025FNZ1C9

Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 25A TO247

valmistajat: LAPIS Semiconductor
Varastossa
RFQ
R6021035ESYA

R6021035ESYA

Kuvaus: DIODE GEN PURP 1KV 350A DO205

valmistajat: Powerex, Inc.
Varastossa
RFQ
R6021025HSYA

R6021025HSYA

Kuvaus: DIODE GEN PURP 1KV 250A DO205

valmistajat: Powerex, Inc.
Varastossa
RFQ
R6021435ESYA

R6021435ESYA

Kuvaus: DIODE GEN PURP 1.4KV 350A DO205

valmistajat: Powerex, Inc.
Varastossa
RFQ
R6024ENX

R6024ENX

Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 24A TO220

valmistajat: LAPIS Semiconductor
Varastossa
RFQ
R6021425HSYA

R6021425HSYA

Kuvaus: DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205

valmistajat: Powerex, Inc.
Varastossa
RFQ
R6024KNZC8

R6024KNZC8

Kuvaus: MOSFET N-CHANNEL 600V 24A TO3PF

valmistajat: LAPIS Semiconductor
Varastossa
RFQ
R6024ENZ1C9

R6024ENZ1C9

Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 24A TO247

valmistajat: LAPIS Semiconductor
Varastossa
RFQ
R6024KNX

R6024KNX

Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 24A TO220FM

valmistajat: LAPIS Semiconductor
Varastossa
RFQ
R6024KNZ1C9

R6024KNZ1C9

Kuvaus: MOSFET N-CHANNEL 600V 24A TO247

valmistajat: LAPIS Semiconductor
Varastossa
RFQ
R6021222PSYA

R6021222PSYA

Kuvaus: DIODE GEN PURP 1.2KV 220A DO205

valmistajat: Powerex, Inc.
Varastossa
RFQ
R6021225HSYA

R6021225HSYA

Kuvaus: DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205

valmistajat: Powerex, Inc.
Varastossa
RFQ
R6025FNZC8

R6025FNZC8

Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF

valmistajat: LAPIS Semiconductor
Varastossa
RFQ
R6024ENZC8

R6024ENZC8

Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 24A TO3PF

valmistajat: LAPIS Semiconductor
Varastossa
RFQ
R6021235ESYA

R6021235ESYA

Kuvaus: DIODE GEN PURP 1.2KV 350A DO205

valmistajat: Powerex, Inc.
Varastossa
RFQ
Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.
Seuraa meitä
käyttöehdotRikkomuspolitiikkaPyydä tarjousMeistäOta meihin yhteyttäUutisetSivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.