Vierailijoille Electronica 2024

Varaa aika nyt!

Tarvitaan vain muutama napsautus varataksesi paikkasi ja hankkia Booth -lippu

Hall C5 Booth 220

Ennakkorekisteröinti

*Yrityksen nimi
*Nimi
*Otsikko

*Sähköpostiosoite
*Puhelinnumero

*Maa
*Kontaktiikkuna
*Tapahtumapäivä

*Viesti

Vierailijoille Electronica 2024

Kaikki kirjaudut! Kiitos tapaamisesta!
Lähetämme sinulle Booth -liput sähköpostitse, kun olemme vahvistaneet varauksesi.

Koti > Tuotteet > Discrete Semiconductor Products > Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset > RFN10BM3STL

RFQs/tilaus (0)

Suomi

Suomi

6879454

RFN10BM3STL-kuva

LAPIS Semiconductor

RFN10BM3STL

Pyydä tarjous

Suorita kaikki vaadittavat kentät yhteystietojesi kanssa. Napsauta "Lähetä RFQ", otamme sinuun yhteyttä pian sähköpostitse.Tai lähetä meille sähköpostia:info@ftcelectronics.com

Viitehinta (Yhdysvaltain dollareina)

Varastossa

2500+

$0.513

5000+

$0.487

Kysely verkossa

tekniset tiedot

Osa numero

RFN10BM3STL
Valmistaja / merkki

LAPIS Technology
Varaston määrä

Varastossa
Kuvaus

DIODE GEN PURP 350V 10A TO252
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lyijytön / RoHS -yhteensopiva
lomakkeissa

1.RFN10BM3STL.pdf
2.RFN10BM3STL.pdf
Jännite - Eteenpäin (Vf) (Max) @ Jos

1.5V @ 10A
Jännite - DC Reverse (Vr) (Max)

350V
Toimittaja Device Package

TO-252
Nopeus

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Sarja

-
Käänteinen Recovery Time (TRR)

30ns
Pakkaus

Tape & Reel (TR)
Pakkaus / Case

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Muut nimet

RFN10BM3STLTR
Käyttölämpötila - liitäntä

150°C (Max)
Asennustyyppi

Surface Mount
Kosteuden herkkyys (MSL)

1 (Unlimited)
Lyijytön tila / RoHS-tila

Lead free / RoHS Compliant
diodi Tyyppi

Standard
Yksityiskohtainen kuvaus

Diode Standard 350V 10A Surface Mount TO-252
Nykyinen - Käänteinen Vuoto @ Vr

10µA @ 350V
Nykyinen - Keskimääräinen Puhdistettu (Io)

10A
Kapasitanssi @ Vr, F

-

Liittyvät uutiset
laivaus
maksu

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

Microchip ilmoittaa 500 lomautusta, ja rakenneuudistuskusta...

Quanta: AI -kysyntä on edelleen vahvaa, tasaisella tilausv...

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

Samsung vähentää merkittävästi fotoresistista käyttö...

Vishay sijoittaa 51 miljoonaa puntaa hankittuun NWF -kiekkoon

Trumpin tariffirasva, Nvidia, Intel -toimittajat arvioivat ...

Intel saa 7,86 miljardia dollaria tukia Yhdysvaltain sirula...

AMD käynnistää Bangaloren suunnittelukeskuksen toisen va...

laivaus

Maksu

Seuraava on "RFN10BM3STL" -tuotteita.

RFN10B3STL

Kuvaus: DIODE GEN PURP 350V 10A CPD

valmistajat: Rohm Semiconductor

Varastossa

RFN10NS6SFHTL

Kuvaus: FAST RECOVERY DIODES (CORRESPOND

valmistajat: LAPIS Semiconductor

Varastossa

RFN1LAM6STR

Kuvaus: DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDTM

valmistajat: LAPIS Semiconductor

Varastossa

RFN1LAM7STR

Kuvaus: DIODE GEN PURP 700V 800MA PMDTM

valmistajat: LAPIS Semiconductor

Varastossa

RFN2L4STE25

Kuvaus: DIODE SCHOTTKY 400V 1.5A PMDS

valmistajat: LAPIS Semiconductor

Varastossa

RFN20TJ6SGC9

Kuvaus: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220

valmistajat: LAPIS Semiconductor

Varastossa

RFN20TF6S

Kuvaus: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220NFM

valmistajat: LAPIS Semiconductor

Varastossa

RFN10NS6STL

Kuvaus: DIODE GEN PURP 600V 10A LPDS

valmistajat: LAPIS Semiconductor

Varastossa

RFN20NS3SFHTL

Kuvaus: FAST RECOVERY DIODES (CORRESPOND

valmistajat: LAPIS Semiconductor

Varastossa

RFN10BM6SFHTL

Kuvaus: SUPER FAST RECOVERY DIODE (AEC-Q

valmistajat: LAPIS Semiconductor

Varastossa

RFN1L6STE25

Kuvaus: DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDS

valmistajat: LAPIS Semiconductor

Varastossa

RFN20NS6SFHTL

Kuvaus: FAST RECOVERY DIODES (CORRESPOND

valmistajat: LAPIS Semiconductor

Varastossa

RFN20NS4SFHTL

Kuvaus: FAST RECOVERY DIODE (AEC-Q101 QU

valmistajat: LAPIS Semiconductor

Varastossa

RFN1LAM7STFTR

Kuvaus: AUTOMOTIVE FAST RECOVERY DIODE (

valmistajat: LAPIS Semiconductor

Varastossa

RFN10TF6S

Kuvaus: DIODE GEN PURP 600V 10A TO220NFM

valmistajat: LAPIS Semiconductor

Varastossa

RFN10BM3SFHTL

Kuvaus: SUPER FAST RECOVERY DIODE (CORRE

valmistajat: LAPIS Semiconductor

Varastossa

RFN10T2D

Kuvaus: DIODE ARRAY GP 200V 5A TO220FN

valmistajat: LAPIS Semiconductor

Varastossa

RFN20TF6SFH

Kuvaus: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220NFM

valmistajat: LAPIS Semiconductor

Varastossa

RFN20NS6STL

Kuvaus: DIODE GEN PURP 600V 20A LPDS

valmistajat: LAPIS Semiconductor

Varastossa

RFN1L7STE25

Kuvaus: DIODE GEN PURP 700V 800MA PMDS

valmistajat: LAPIS Semiconductor

Varastossa

Ainoana julkisen avoimen markkinoiden jakelijana meillä on ainutlaatuinen yhdistelmä globaalia pääsyä, valmistusteollisuuden asiantuntemusta ja todistettua laatua.Tämän avulla voimme luoda räätälöityjä, päähän -laitteiden toimitusketjuratkaisuja elektroniikkakomponenttien hankintaan ja varastonhallintaan.

Seuraa meitä

käyttöehdot Rikkomuspolitiikka Pyydä tarjous Meistä Ota meihin yhteyttä Sivukartta

Valitse kieli

Napsauta tilaa poistuaksesi

Nykyinen kieli

Valitse maa tai alue.